[发明专利]显示面板的封装结构及其制备方法、显示面板有效
申请号: | 202110118794.1 | 申请日: | 2021-01-28 |
公开(公告)号: | CN112928227B | 公开(公告)日: | 2022-10-18 |
发明(设计)人: | 张李伟 | 申请(专利权)人: | 厦门天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
地址: | 361101 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种显示面板的封装结构,其特征在于,至少包括层叠设置的第一无机层、有机层;
所述第一无机层至少包括层叠设置的两个子层,每个所述子层包括多个晶粒;两个所述子层为第一子层和第二子层,所述第一子层包括多个第一晶粒,所述第二子层包括多个第二晶粒;
所述第一晶粒的平均粒径与所述第二晶粒的平均粒径不同;
所述第一无机层还包括第三子层,所述第二子层位于所述第一子层和所述第三子层之间;
所述第三子层包括多个第三晶粒,所述第三晶粒的平均粒径与所述第二晶粒的平均粒径不同。
2.根据权利要求1所述的显示面板的封装结构,其特征在于,所述第一晶粒的平均粒径大于所述第二晶粒的平均粒径,所述第三晶粒的平均粒径大于所述第二晶粒的平均粒径。
3.根据权利要求2所述的显示面板的封装结构,其特征在于,所述第一晶粒的平均粒径与所述第三晶粒的平均粒径相同。
4.根据权利要求1所述的显示面板的封装结构,其特征在于,
所述第一无机层包括层叠设置的多个子层,任意相邻两个所述子层中所述晶粒的平均粒径不同。
5.根据权利要求4所述的显示面板的封装结构,其特征在于,
沿所述有机层垂直指向所述第一无机层的方向,不同的所述子层中所述晶粒的平均粒径逐渐增大。
6.根据权利要求4所述的显示面板的封装结构,其特征在于,
沿所述有机层垂直指向所述第一无机层的方向,不同的所述子层中所述晶粒的平均粒径逐渐减小。
7.根据权利要求1所述的显示面板的封装结构,其特征在于,还包括第二无机层,所述第二无机层位于所述有机层远离所述第一无机层的一侧。
8.根据权利要求7所述的显示面板的封装结构,其特征在于,所述第二无机层的结构与所述第一无机层的结构相同。
9.根据权利要求1所述的显示面板的封装结构,其特征在于,所述第一无机层的制作材料包括氮化硅、二氧化硅、氮氧化硅中的任一者或两者,所述晶粒的粒径范围为10nm-50nm。
10.一种显示面板的封装结构的制备方法,其特征在于,
提供一阵列基板;
采用第一沉积速度在所述阵列基板上沉积第一无机材料,形成第一子层,所述第一子层包括多个第一晶粒;
采用第二沉积速度在所述第一子层上沉积第二无机材料,形成第二子层,所述第二子层包括多个第二晶粒;
其中,所述第一沉积速度与所述第二沉积速度不同,所述第一晶粒的平均粒径与所述第二晶粒的平均粒径不同;
在所述第二子层上形成有机层;
在所述第二子层上形成所述有机层之前,还包括:
采用第三沉积速度在所述第二子层上沉积第三无机材料,形成第三子层,所述第三子层包括多个第三晶粒;其中,所述第三沉积速度与所述第二沉积速度不同,所述第三晶粒的平均粒径与所述第二晶粒的平均粒径不同。
11.根据权利要求10所述的显示面板的封装结构的制备方法,其特征在于,所述第一沉积速度大于所述第二沉积速度,所述第一晶粒的平均粒径大于所述第二晶粒的平均粒径。
12.根据权利要求10所述的显示面板的封装结构的制备方法,其特征在于,所述第一沉积速度大于所述第二沉积速度,所述第二沉积速度大于所述第三沉积速度,所述第一晶粒的平均粒径大于所述第二晶粒的平均粒径,所述第二晶粒的平均粒径大于所述第三晶粒的平均粒径。
13.根据权利要求10所述的显示面板的封装结构的制备方法,其特征在于,所述第一无机材料和所述第二无机材料包括氮化硅、二氧化硅、氮氧化硅中的任一者或两者。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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