[发明专利]半导体结构及半导体结构的制造方法

说明书

本发明涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构及半导体结构的制造方法。半导体结构包括衬底，衬底中形成有电容结构，电容结构包括下极板、介质层、上极板以及保护层，下极板位于衬底上；介质层覆盖在下极板的表面；上极板覆盖介质层；保护层形成在上极板平行于衬底的表面。通过在上极板的上表面形成的保护层能够改善电容结构的电阻性能，以此改善半导体结构的使用性能。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体结构及半导体结构的制造方法。

背景技术

相关技术中，在半导体结构中形成的电容结构与插塞，由于电容结构本身的限定，形成的插塞与电容结构之间的接触电阻较大，影响半导体结构的使用性能。

发明内容

本发明提供一种半导体结构及半导体结构的制造方法，以改善半导体结构的性能。

根据本发明的第一个方面，提供了一种半导体结构，包括衬底，衬底中形成有电容结构，电容结构包括：

下极板，下极板位于衬底上；

介质层，介质层覆盖在下极板的表面；

上极板，上极板覆盖介质层；

保护层，保护层形成在上极板平行于衬底的表面。

在本发明的一个实施例中，保护层包括金属硅化物。

在本发明的一个实施例中，保护层具有掺杂元素，掺杂元素与上极板反应生成保护层。

在本发明的一个实施例中，上极板包括多晶硅，掺杂元素包括镍、钴、钛、铜、钼、钽、钨中的至少一种。

在本发明的一个实施例中，上极板包括上电极和上电极填充层，上电极覆盖介质层的表面，上电极填充层覆盖上电极。

在本发明的一个实施例中，上电极填充层为多晶硅。

在本发明的一个实施例中，电容结构为柱状电容结构、杯状电容结构或沟槽式电容结构。

在本发明的一个实施例中，上极板的外侧面具有凹凸侧面结构，半导体结构还包括：氧化层，氧化层覆盖在上极板以及保护层的表面，并填充凹凸侧面结构中的空隙。

在本发明的一个实施例中，半导体结构还包括：插塞，插塞位于衬底上，且与上极板间隔设置。

根据本发明的第二个方面，提供了一种半导体结构的制造方法，包括提供衬底，在衬底中形成电容结构，形成电容结构包括：

在衬底上形成下极板；

在下极板的表面形成介质层；

在介质层的表面形成上极板；

在上极板平行于衬底的表面形成保护层。

在本发明的一个实施例中，掺杂元素与上极板反应生成保护层。

在本发明的一个实施例中，生成保护层包括：

对上极板外表面进行掺杂离子处理后退火生成保护层。

在本发明的一个实施例中，生成保护层包括：

在上极板上形成金属材料层；

使金属材料层与上极板反应生成保护层。

在本发明的一个实施例中，形成电容结构还包括：

形成金属材料层之前，

在上极板的表面形成旋涂碳层，并露出上极板的上部；

其中，金属材料层形成于旋涂碳层上，并覆盖上极板平行于衬底的表面。