[发明专利]半导体结构及半导体结构的制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，在所述衬底上形成有阵列区的接触垫和外围区的接触部分；

在所述衬底上方形成层叠结构，所述层叠结构包括第一支撑层、第二支撑层以及位于所述第一支撑层和所述第二支撑层之间、所述第一支撑层和所述衬底之间的牺牲层；

在所述层叠结构上形成多个电容孔，所述电容孔暴露出所述衬底中的所述接触垫；

在所述电容孔中形成下极板，所述下极板与所述接触垫直接接触；

将所述牺牲层去除，以通过所述第一支撑层和所述第二支撑层支撑所述下极板；

在所述下极板的表面覆盖介质层，所述介质层同时覆盖所述接触部分；

在所述介质层的表面覆盖上极板；

在所述上极板平行于所述衬底的表面上形成保护层，所述保护层包括金属硅化物；

沿所述保护层的侧壁向下蚀刻去除位于所述侧壁外侧的所述上极板，使得所述保护层的所述侧壁与所述上极板横截面积最大的侧壁相平齐，同时蚀刻去除所述接触部分上方的所述上极板和所述介质层，以暴露出所述接触部分；

形成插塞，所述插塞与所述接触部分相连接。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，掺杂元素与所述上极板反应生成所述保护层。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述上极板包括上电极和位于所述上电极外表面的上电极填充层，掺杂元素与所述上极板反应生成所述保护层包括：

对所述上电极填充层进行掺杂离子处理后退火生成所述保护层。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，生成所述保护层包括：

在所述上极板平行于所述衬底的表面上形成金属材料层；

使所述金属材料层与所述上极板反应生成所述保护层。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述上极板包括上电极和位于所述上电极外表面的上电极填充层，生成所述保护层包括：

在所述上电极填充层的表面上形成金属材料层；

使所述金属材料层与所述上电极填充层反应生成所述保护层。

6.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在形成所述保护层之前还包括：

形成包裹部分所述上极板的旋涂碳层，所述上极板平行于所述衬底的表面不被所述旋涂碳层覆盖；

在所述暴露于所述旋涂碳层的所述上极板上形成保护层。

7.根据权利要求6所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述保护层之后，去除所述旋涂碳层。

8.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述半导体结构的制造方法还包括：

形成电容接触插塞，所述电容接触插塞通过所述保护层与所述相连接。

9.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述半导体结构的制造方法还包括：

在所述衬底上形成氧化层，所述氧化层覆盖所述上极板以及所述保护层的表面，并填充所述上极板的凹凸侧面结构中的空隙。

10.一种半导体结构，其特征在于，包括由权利要求1至9中任一项的所述半导体结构的制造方法形成的半导体结构。