[发明专利]功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法

权利要求书

1.一种功率半导体器件，包括：

管芯载体，

功率半导体芯片，所述功率半导体芯片通过第一焊料接头耦合到所述管芯载体，

用于引脚的套管，所述套管通过第二焊料接头耦合到所述管芯载体，以及

密封件，所述密封件将所述套管机械地附接到所述管芯载体，所述密封件布置在所述套管的下端处，其中，所述下端面对所述管芯载体，并且

其中，所述密封件不覆盖所述功率半导体芯片。

2.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其中，所述密封件覆盖所述第二焊料接头。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的功率半导体器件，其中，所述密封件包括聚合物。

4.根据前述权利要求中的一项所述的功率半导体器件，其中，所述密封件不接触所述功率半导体芯片。

5.根据前述权利要求中的一项所述的功率半导体器件，还包括：

包封剂，所述包封剂包封所述功率半导体芯片，

其中，所述包封剂具有与所述密封件不同的材料成分。

6.根据权利要求5所述的功率半导体器件，其中，所述密封件具有比所述包封剂高的拉伸强度。

7.根据前述权利要求中的一项所述的功率半导体器件，其中，所述管芯载体是DAB、DCB或AMB。

8.根据权利要求7所述的功率半导体器件，其中，所述套管布置在所述管芯载体的上导电层上，并且其中，所述密封件也至少部分地布置在所述上导电层上。

9.根据前述权利要求中的一项所述的功率半导体器件，还包括：

基板，其中，所述管芯载体通过第三焊料接头附接到所述基板。

10.根据前述权利要求中的一项所述的功率半导体器件，还包括：

塑料框架，其中，所述功率半导体芯片布置在由所述塑料框架形成的空腔内，并且其中，所述引脚被配置为延伸出所述塑料框架。

11.一种用于制造功率半导体器件的方法，所述方法包括：

提供管芯载体，

将功率半导体芯片焊接到所述管芯载体上，从而形成第一焊料接头，

将用于引脚的套管焊接到所述管芯载体上，从而形成第二焊料接头，以及

用密封件将所述套管机械地附接到所述管芯载体，所述密封件布置在所述套管的下端处，其中，所述下端面对所述管芯载体，

其中，所述密封件不覆盖所述功率半导体芯片。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，在已经形成所述第一焊料接头和所述第二焊料接头之后提供所述密封件。

13.根据权利要求11或权利要求12所述的方法，其中，机械地附接所述套管包括：

在所述套管的所述下端周围分配所述密封件，以及

固化所述密封件。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述固化包括将所述密封件加热到200℃或更低的温度，或者其中，所述固化包括施加UV光。

15.根据权利要求11到14中的一项所述的方法，还包括：

将所述管芯载体焊接到基板，从而形成第三焊料接头。