[发明专利]封装结构及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202110115409.8 申请日: 2021-01-28
公开(公告)号: CN113394173A 公开(公告)日: 2021-09-14
发明(设计)人: 闵繁宇;李铮鸿;戴暐航;罗元佐;庄文源;郭峻诚;高金利 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/498;H01L21/56
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 蕭輔寬
地址: 中国台湾高雄市楠梓*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 封装 结构 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种封装结构,其包括:

布线结构;

第一电子装置,其安置在所述布线结构上;以及

第二电子装置,其安置在所述布线结构上,其中所述第一电子装置以及所述第二电子装置并排安置,并且所述第一电子装置与所述第二电子装置之间的间隙大于或等于约150μm。

2.根据权利要求1所述的封装结构,其进一步包括基本上填充所述间隙的保护材料。

3.根据权利要求2所述的封装结构,其中所述第一电子装置具有面向所述间隙的第一侧表面,以及与所述第一侧表面相对的第二侧表面;所述第二电子装置具有面向所述间隙的第一侧表面,以及与所述第一侧表面相对的第二侧表面,其中所述封装结构进一步包括覆盖所述保护材料、所述第一电子装置的所述第二侧表面的至少一部分以及所述第二电子装置的所述第二侧表面的至少一部分的第一封装体。

4.根据权利要求3所述的封装结构,其中所述第二电子装置的所述第二侧表面包含在两种不同的材料之间的第一界面,其中在所述第一封装体与所述保护材料之间的第二界面不接触所述第一界面。

5.根据权利要求4所述的封装结构,其中所述保护材料延伸超出所述第一界面。

6.根据权利要求3所述的封装结构,其中所述第二电子装置的厚度是T2,在所述第二侧表面上的所述保护材料的第二部分的第二高度是h2,并且h2大于或等于0.3乘以T2

7.根据权利要求1所述的封装结构,其中所述第一电子装置的厚度是T1,在所述第一电子装置的侧表面上的所述保护材料的第一部分的第一高度是h1,并且h1大于或等于0.5乘以T1

8.根据权利要求3所述的封装结构,其进一步包括加固结构,所述加固结构附接到所述第一电子装置的顶表面、所述第二电子装置的顶表面以及所述保护材料的顶表面的加固结构。

9.根据权利要求1所述的封装结构,其中所述间隙在200μm到400μm的范围内。

10.一种封装结构,其包括:

布线结构;

第一电子装置,其安置在所述布线结构上,并且具有第一有源区域;

第二电子装置,其安置在所述布线结构上,其中所述第一电子装置以及所述第二电子装置并排安置,所述第一电子装置进一步具有面向所述第二电子装置的第一侧表面以及与所述第一侧表面相对的第二侧表面,其中所述第一侧表面与所述第一有源区域之间的第一距离小于所述第二侧表面与所述第一有源区域之间的第二距离;以及

保护材料,其基本上填充所述第一电子装置与所述第二电子装置之间的间隙。

11.根据权利要求10所述的封装结构,其中所述第一有源区域由密封环所界定。

12.根据权利要求10所述的封装结构,其进一步包括覆盖所述保护材料的第一封装体。

13.一种制造方法,其包括:

(a)提供布线结构;

(b)在所述布线结构上并排安置第一电子装置以及第二电子装置;

(c)沿着所述第一电子装置的侧表面施加保护材料;以及

(d)沿着所述第一电子装置的另一侧表面施加所述保护材料。

14.根据权利要求13所述的制造方法,其中(d)的所述第一电子装置的所述另一侧表面与(c)的所述第一电子装置的所述侧表面相对。

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