[发明专利]一种提升子像素发光均衡的Micro-LED制造方法

说明书

本发明涉及一种提升子像素发光均衡的Micro‑LED制造方法，该方法包括：在阵列基板的受光面涂覆光刻胶；调整掩膜版，使掩膜版的透光区对应至每个显示像素；维持掩膜版与阵列基板相对位置不变，采用入射方向不同的三组光源同时透过掩膜版的透光区对不同组别的子像素进行曝光；其中，每组光源对应一组相同颜色的子像素，每组光源的光照强度和光照时间根据与该组光源对应颜色的子像素需填充的量子点胶体体积决定；使用显影液对阵列基板上的光刻胶进行第一时间的溶解；烘干阵列基板，并对子像素进行刻蚀形成三种深度不同的储液槽。该方法有利于提高子像素的发光亮度均衡，提升显示效果。

技术领域

本发明属于显示器领域，特别涉及一种提升子像素发光均衡的Micro-LED制造方法。

背景技术

Micro-LED(微型发光二极管)是新一代显示技术，比现有的OLED(有机发光二极管)技术亮度更高、发光效率更好、但功耗更低。Micro-LED技术，将LED结构设计进行薄膜化、微小化、阵列化，其尺寸仅在1～10μm等级左右。Micro-LED最大的优势来自于微米等级的间距，每一点像素(pixel)都能定址控制及单点驱动发光、寿命长、应用范畴广。

量子点QDs是一种由II-VI或III-V族元素组成的半导体纳米颗粒，其尺寸一般为几纳米至数十纳米之间。量子点材料由于量子限域效应的存在，原本连续的能带变成分立的能级结构，受外界激发后可发射可见光。量子点材料由于其发光峰具有较小的半高宽且发光颜色可通过量子点材料的尺寸、结构或成分进行调节，应用在Micro-LED显示领域将会提升颜色的饱和度和色域。量子点材料由于其特性，作为发光晶粒常应用于Micro-LED中。

在Micro-LED中，封装红、绿、蓝三种颜色对应的量子点时一般采用相同大小的储液槽(凹槽)，但是不同颜色对应的量子点胶体封装的量不同，导致对储液槽进行封胶时，封胶厚度也不同，进一步导致不同颜色子像素的发光亮度不均衡，显示效果变差。

发明内容

本发明的目的在于提供一种提升子像素发光均衡的Micro-LED制造方法，该方法有利于提高子像素的发光亮度均衡，提升显示效果。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：一种提升子像素发光均衡的Micro-LED制造方法，所述Micro-LED包括红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素，每个子像素包括一个储液槽，每个储液槽中填充量子点胶体，每个储液槽下方设置一个UV-LED；所述方法包括：

在阵列基板的受光面涂覆光刻胶；其中，所述阵列基板包括阵列排布的显示像素，每个显示像素包括所述红色子像素、所述绿色子像素以及所述蓝色子像素；

调整掩膜版，使所述掩膜版的透光区对应至每个所述显示像素；

维持所述掩膜版与所述阵列基板相对位置不变，采用入射方向不同的三组光源同时透过所述掩膜版的透光区对不同组别的子像素进行曝光；其中，每组光源对应一组相同颜色的子像素，每组光源的光照强度和光照时间根据与该组光源对应颜色的子像素需填充的量子点胶体体积决定；

使用显影液对所述阵列基板上的光刻胶进行第一时间的溶解；

烘干所述阵列基板，并对所述子像素进行刻蚀形成三种深度不同的储液槽。

进一步地，所述方法还包括：

根据所述三组光源的入射方向、所述子像素的曝光宽度以及同一个显示像素中两个相邻子像素的间隙，获得所述掩膜版与阵列基板之间的距离，所述掩膜版与所述阵列基板之间的距离d满足d＝(p+q)×|cotθ₁|的关系；