[发明专利]旁路电容的制造方法及旁路电容

说明书

本发明涉及半导体技术领域，公开了一种旁路电容的制造方法及旁路电容，该方法包括：在衬底的任意一面淀积第一金属层；在衬底上刻蚀形成通孔，通孔与第一金属层围成一凹槽；在凹槽的内表面依次淀积第二金属层和绝缘介质层；在淀积后的第一凹槽的内表面和衬底背离第一金属层的一面电镀第三金属层，依次分布的第一金属层、第二金属层、绝缘介质层和第三金属层形成旁路电容。本发公开的旁路电容的制造方法及旁路电容可降低电容器件所占用芯片的面积，使芯片布局更加便捷，降低芯片成本。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种旁路电容的制造方法及旁路电容。

背景技术

旁路电容被广泛应用于微波单片集成电路，用于直流供电的滤波和阻抗匹配。目前，现有的旁路电容大多较大，占用了芯片的大部分面积，从而限制了芯片的布局，同时增加了芯片的成本。

因此，如何提供一种有效的方案以降低旁路电容在芯片上的占用面积，已成为现有技术中一亟待解决的难题。

发明内容

为了解决现有技术中存在的旁路电容在芯片上占用面积大的问题，本发明的目的在于提供一种旁路电容的制造方法及旁路电容，以降低旁路电容在芯片上的占用面积。

第一方面，本发明提供了一种旁路电容的制造方法，所述方法包括：

在衬底的任意一面淀积第一金属层；

在所述衬底上刻蚀形成通孔，所述通孔与所述第一金属层围成一凹槽；

在所述凹槽的内表面依次淀积第二金属层和绝缘介质层；

在淀积后的第一凹槽的内表面和所述衬底背离所述第一金属层的一面电镀第三金属层，依次分布的所述第一金属层、所述第二金属层、所述绝缘介质层和所述第三金属层形成旁路电容。

通过上述设计，本发明通过在衬底上淀积第一金属层并在衬底上刻蚀形成通孔，然后在通孔与第一金属层围成的凹槽内表面依次淀积第二金属层和绝缘介质层，最后在淀积后的第一凹槽的内表面和衬底背离第一金属层的一面电镀第三金属层，依次分布的第一金属层、第二金属层、绝缘介质层和第三金属层即可形成旁路电容，如此可降低电容器件所占用芯片的面积，使芯片布局更加便捷，大大降低芯片成本。

在一个可能的设计中，在所述衬底上刻蚀形成通孔，包括：

通过物理刻蚀或化学刻蚀在所述衬底上刻蚀形成所述通孔。

在一个可能的设计中，在所述衬底上刻蚀形成通孔，包括：

通过正性光刻的方式在所述衬底上刻蚀形成所述通孔。

在一个可能的设计中，所述第一金属层、所述第二金属层以及所述第三金属层均采用相同材料。

在一个可能的设计中，所述第一金属层、所述第二金属层以及所述第三金属层均为钛钨合金层。

在一个可能的设计中，所述绝缘介质层为氧化硅层或氮化硅层。

在一个可能的设计中，所述衬底为砷化镓基片或硅基片。

第二方面，本发明提供了一种旁路电容，包括：

衬底，所述衬底上刻蚀有通孔；

第一金属层，所述第一金属层淀积在所述衬底的任意一面，所述第一金属层与所述通孔围成一凹槽；

第二金属层；

绝缘介质层，所述第二金属层和所述绝缘介质层依次淀积在所述凹槽的内表面；

第三金属层，所述第三金属层电镀于淀积后的所述第一凹槽的内表面和所述衬底背离所述第一金属层的一面。

在一个可能的设计中，电镀所述第三金属层后的所述第一凹槽内填充有绝缘填充层。

在一个可能的设计中，所述绝缘填充层淀积在电镀所述第三金属层后的所述第一凹槽内。

附图说明