[发明专利]旁路电容的制造方法及旁路电容在审
| 申请号： | 202110114950.7 | 申请日： | 2021-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN112466852A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 黄洪云 | 申请（专利权）人： | 成都市克莱微波科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L49/02 |
| 代理公司： | 成都顶峰专利事务所(普通合伙) 51224 | 代理人： | 王霞 |
| 地址： | 610000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 旁路 电容 制造 方法 | ||
1.一种旁路电容的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底的任意一面淀积第一金属层；
在所述衬底上刻蚀形成通孔，所述通孔与所述第一金属层围成一凹槽；
在所述凹槽的内表面依次淀积第二金属层和绝缘介质层；
在淀积后的第一凹槽的内表面和所述衬底背离所述第一金属层的一面电镀第三金属层，依次分布的所述第一金属层、所述第二金属层、所述绝缘介质层和所述第三金属层形成旁路电容。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述衬底上刻蚀形成通孔，包括：
通过物理刻蚀或化学刻蚀在所述衬底上刻蚀形成所述通孔。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述衬底上刻蚀形成通孔，包括：
通过正性光刻的方式在所述衬底上刻蚀形成所述通孔。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金属层、所述第二金属层以及所述第三金属层均采用相同材料。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一金属层、所述第二金属层以及所述第三金属层均为钛钨合金层。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述绝缘介质层为氧化硅层或氮化硅层。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底为砷化镓基片或硅基片。
8.一种旁路电容，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底上刻蚀有通孔；
第一金属层，所述第一金属层淀积在所述衬底的任意一面，所述第一金属层与所述通孔围成一凹槽；
第二金属层；
绝缘介质层，所述第二金属层和所述绝缘介质层依次淀积在所述凹槽的内表面；
第三金属层，所述第三金属层电镀于淀积后的所述第一凹槽的内表面和所述衬底背离所述第一金属层的一面。
9.如权利要求8所述的旁路电容，其特征在于，电镀所述第三金属层后的所述第一凹槽内填充有绝缘填充层。
10.如权利要求9所述的旁路电容，其特征在于，所述绝缘填充层淀积在电镀所述第三金属层后的所述第一凹槽内。
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