[发明专利]基于遗传算法的掩模侧壁角控制方法、系统、设备及介质有效
申请号: | 202110110769.9 | 申请日: | 2021-01-27 |
公开(公告)号: | CN112765893B | 公开(公告)日: | 2023-04-25 |
发明(设计)人: | 郝芸芸;叶甜春;韦亚一;王云;薛静 | 申请(专利权)人: | 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 |
主分类号: | G06F30/27 | 分类号: | G06F30/27;G06N3/126;G06F111/04 |
代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 史治法 |
地址: | 510000 广东省广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 遗传 算法 侧壁 控制 方法 系统 设备 介质 | ||
本发明公开了一种基于遗传算法的掩模侧壁角控制方法、系统、设备及介质,所述掩模侧壁角控制方法包括:在掩模主体图形边缘添加冗余图形;基于遗传算法调控所述冗余图形的添加方式,以确定目标冗余图形添加方式;其中,一组或多组所述目标冗余图形添加方式对应掩模侧壁角的角度。通过引入遗传算法,整个流程可快速,高效地确定一组、或几组目标冗余图形添加方式,其中,一组或多组所述目标冗余图形添加方式对应掩模侧壁角的角度,以实现对精细位置的侧壁角的角度的精准调节,满足光刻工程中特殊工艺对侧壁角的需求,仿真计算可以快速地挑选出比较符合要求的一组或几组冗余图形添加方式,节省人力、物力及财力。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种基于遗传算法的掩模侧壁角控制方法、系统、设备及介质。
背景技术
光刻技术是集成电路制造中的关键工艺,经过曝光后的图形会在显影过程后出现图形,未曝光区域的光刻胶保留,曝光后区域的光刻胶被显影液反应消除。在一些先进光刻工艺技术中,如较小的节点,芯片密集图形的尺寸较小,对显影后且未经显影的光刻胶侧壁角度会有较为严格的控制。
传统的调节光刻胶侧壁角度一般通过调节显影参数,如显影时间、曝光量、后烘温度、后烘时间。例如调整显影时间来控制光刻胶侧壁角度,但会同时引起一次曝光区域和一次显影范围内的光刻胶轮廓均会发生变化,无法做到对光刻胶侧壁角度的精准调节。
发明内容
基于此,有必要针对上述背景技术中的问题,提供一种基于遗传算法的掩模侧壁角控制方法、系统、设备及介质,能够精准、快速调节光刻胶侧壁的角度。
为解决上述技术问题,本申请的第一方面提出一种基于遗传算法的掩模侧壁角控制方法,包括:
在掩模主体图形边缘添加冗余图形;
基于遗传算法调控所述冗余图形的添加方式,以确定目标冗余图形添加方式;其中,一组或多组所述目标冗余图形添加方式对应掩模侧壁角的角度。
于上述实施例中的基于遗传算法的掩模侧壁角控制方法中,通过在掩模主体图形边缘添加冗余图形,并基于遗传算法调控所述冗余图形的添加方式,以确定目标冗余图形添加方式;其中,一组或多组所述目标冗余图形添加方式对应掩模侧壁角的角度。通过引入遗传算法,整个流程可快速、高效地确定一组、或几组目标冗余图形添加方式,其中,存在一组或多组目标冗余图形添加方式对应相同的侧壁角的角度,以实现对精细位置的侧壁角的角度的精准调节,满足光刻工程中特殊工艺对侧壁角的需求,同时仿真计算过程可以快速地挑选出比较符合要求的一组或几组冗余图形添加方式,节省人力、物力及财力。
在其中一个实施例中,所述基于遗传算法调控所述冗余图形的添加方式,以确定目标冗余图形添加方式,包括:
对所述冗余图形依次进行切分和编码,以获得各所述冗余图形添加方式,各所述冗余图形添加方式构成所述遗传算法的初始化种群;
计算各所述冗余图形添加方式对应的侧壁角的角度;
判断所述侧壁角的角度和累积迭代次数是否同时满足预设约束条件;
若满足,则确定所述目标冗余图形添加方式;
反之,则根据所述遗传算法生成下一代种群,并计算所述下一代种群中冗余图形添加方式对应的侧壁角的角度,直至所述侧壁角的角度和所述累积迭代次数同时满足所述预设约束条件。
在其中一个实施例中,所述预设约束条件为所述侧壁角的角度位于预设侧壁角的角度误差范围内和所述累积迭代次数大于或等于预设迭代次数。
在其中一个实施例中,所述对所述冗余图形依次进行切分和编码,包括:
将所述冗余图形切分为各冗余图形区域;
将各所述冗余图形区域以透光和不透光的方式排列并编码。
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