[发明专利]用于浸没式光刻胶的含氟化合物及其制备方法、光刻胶

说明书

本发明提供了一种用于浸没式光刻胶的含氟化合物及其制备方法，该方法包括：在反应容器中加入预备化合物、4‑二甲氨基吡啶、l‑乙基‑(3‑二甲基氨基丙基)碳二亚胺盐酸盐以及三氯甲烷，混合均匀形成反应体系；向反应体系中滴加N,N‑二甲基丙二胺，反应生成含氟化合物；其中，预备化合物的化学结构为n≧1，为整数。本发明还提供一种添加含氟化合物的浸没式光刻胶。采用本技术方案提供的制备工艺制作出的含氟化合物，添加至光刻胶中能够防止纯水中的杂质污染光刻机镜头，有效降低杂质对镜头的污染。采用本发明提供的技术方案替代现有的加疏水层的配方，具有工艺简单、生产周期短、生产效率得到提高、节约生产成本等优点。

技术领域

本发明属于化学技术领域，尤其涉及一种用于浸没式光刻胶的含氟化合物及其制备方法、光刻胶。

背景技术

光刻胶是集成电路制造领域的关键材料之一，随着制造技术的不断发展，对光刻胶的技术要求越来越高，为了满足日益苛刻的工艺条件，需要开发更高性能的光刻胶产品。随着集成电路制造工艺进入45nm以下技术节点，浸没式光刻工艺被广泛使用，由于浸没式光刻机的镜头使用纯水为介质，在生产过程中为了防止纯水中的杂质污染光刻机镜头，需要严格控制浸没式光刻胶的杂质析出量，减少杂质对镜头的污染。

考虑到曝光工艺中光刻胶会与纯水直接接触，光刻胶的杂质析出量会对纯水造成污染，从而破坏光刻机镜头，目前常用的方法是，浸没式光刻胶表面涂上一层透明疏水层，将光刻胶与纯水隔离开，从而有效的阻隔杂质。

上述解决方案中，透明疏水层材料需要单独购买，在浸没式光刻胶涂布完成后，需要再增加一道疏水层的涂布工艺，工艺复杂度增加，延长了生产周期，生产效率变低，增加了设备成本。

发明内容

本发明实施例提供一种用于浸没式光刻胶的含氟化合物及其制备方法、光刻胶，旨在解决现有控制浸没式光刻胶的杂质析出量的方案，存在工艺复杂度增加，生产周期长，生产效率低，增加了生产成本的弊端。

本发明实施例是这样实现的，一种用于浸没式光刻胶的含氟化合物，包括如下步骤：

在反应容器中加入预备化合物、4-二甲氨基吡啶、l-乙基-(3-二甲基氨基丙基)碳二亚胺盐酸盐以及三氯甲烷，混合均匀形成反应体系；

向所述反应体系中滴加N,N-二甲基丙二胺，反应生成所述含氟化合物；

其中，所述预备化合物的化学结构为

n≧1，为整数。

此外，本发明还提供一种用于浸没式光刻胶的含氟化合物，所述用于浸没式光刻胶的含氟化合物由上述制备方法制备获得。

此外，本发明还提供一种光刻胶，所述光刻胶添加有上述制备方法制备获得的含氟化合物。

本发明中的制作工艺得到的用于浸没式光刻胶的含氟化合物，经过提纯之后，加入到常规光刻胶成品中，充分搅拌均匀后制得含氟光刻胶。将含氟光刻胶进行涂膜实验，在12寸硅片上经过涂膜和烘烤后，放入装有纯水的容器中测试杂质的析出，经过48h浸泡后，测量纯水中的杂质含量变化情况，与加疏水层的配方对比，结果显示本方案中的含氟光刻胶析出的杂质明显低于对比组。采用本技术方案提供的制备工艺制作出的含氟化合物，添加至光刻胶中能够防止纯水中的杂质污染光刻机镜头，有效降低杂质对镜头的污染。因此，采用本发明提供的技术方案替代现有的加疏水层的配方，具有工艺简单、生产周期短、生产效率得到提高、节约生产成本等优点。

附图说明

图1是本发明实施例提供的用于浸没式光刻胶的含氟化合物的制备方法的流程图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。