[发明专利]一种基于RGBW的Micro-LED光刻工艺

说明书

本发明提出一种基于RGBW的Micro‑LED光刻工艺，包括以下步骤：步骤S101、在阵列基板受光面涂覆光刻胶；步骤S102、调整掩膜版，使所述掩膜版上的每个透光区的中心在所述阵列基板上的投影位于与该透光区相对应的所述显示像素的中心；其中，所述掩膜版与所述阵列基板之间的距离为第一距离；步骤S103、以四组光源通过掩膜版透光区对光刻胶曝光，每组光源对应一组相同颜色的所述子像素结构，每组所述光源的光照强度和光照时间使与不同颜色子像素结构对应的光刻胶部位所受光照存在差异；步骤S104、对阵列基板上的光刻胶溶解；步骤S105、烘干阵列基板，并对所述子像素进行刻蚀形成深度不同的储液槽；本发明可解决由于对量子点的封胶厚度不同导致子像素发光亮度不均衡的问题。

技术领域

本发明涉及显示器技术领域，尤其是一种基于RGBW的Micro-LED光刻工艺。

背景技术

Micro-LED(微型发光二极管)是新一代显示技术，比现有的OLED(有机发光二极管)技术亮度更高、发光效率更好、但功耗更低。Micro-LED技术，将LED结构设计进行薄膜化、微小化、阵列化，其尺寸仅在1～10μm等级左右。Micro-LED最大的优势来自于微米等级的间距，每一点像素(pixel)都能定址控制及单点驱动发光、寿命长、应用范畴广。

RGBW显示屏相对传统RGB显示屏而言，除红(R)、绿(G)、蓝(B)子像素外还包含白色(W)子像素，白色子像素的加入可以极大提高LCD的穿透率、OLED显示器单位面积的发光效率等，由此可实现低功耗，节能环保的目的。

量子点QDs是一种由II-VI或III-V族元素组成的半导体纳米颗粒,其尺寸一般为几纳米至数十纳米之间。量子点材料由于量子限域效应的存在,原本连续的能带变成分立的能级结构,受外界激发后可发射可见光。量子点材料由于其发光峰具有较小的半高宽且发光颜色可通过量子点材料的尺寸、结构或成分进行调节,应用在Micro-LED显示领域将会提升颜色的饱和度和色域。量子点材料由于其特性，作为发光晶粒常应用于Micro-LED中。

在量子点封装中，封装红、绿、蓝、白四种颜色对应的量子点时一般采用相同大小的储液槽（凹槽），但是不同颜色对应的量子点胶体封装的量不同，导致对储液槽进行封胶时，封胶厚度也不同，进一步导致不同颜色子像素的发光亮度不均衡，显示效果变差。

发明内容

本发明提出一种基于RGBW的Micro-LED光刻工艺，可解决由于对量子点的封胶厚度不同导致子像素发光亮度不均衡的问题。

本发明采用以下技术方案。

一种基于RGBW的Micro-LED光刻工艺，用于在阵列基板上制备Micro-LED显示像素内子像素结构的储液槽，所述显示像素在阵列基板处阵列排布；显示像素内的每个子像素结构均呈矩形，其长为第一长度，宽为第一宽度，同一显示像素内子像素之间的间隙为第一间隙；每个子像素结构包括一个储液槽，所述工艺包括以下步骤：

步骤S101、在阵列基板的受光面涂覆光刻胶；

步骤S102、调整掩膜版，使所述掩膜版上的每个透光区的中心在所述阵列基板上的投影位于与该透光区相对应的所述显示像素的中心；其中，所述掩膜版与所述阵列基板之间的距离为第一距离；

步骤S103、以四组光源通过掩膜版透光区对阵列基板上的光刻胶进行曝光，其中，每组光源对应一组相同颜色的所述子像素结构，四组光源的入射方向与所述阵列基板的夹角均相等为第一角度，所述第一距离满足，每组所述光源的光照强度和光照时间是根据与该组光源对应颜色的所述子像素需填充的量子点胶体体积决定，以使与不同颜色子像素结构对应的光刻胶部位所受光照存在差异；

步骤S104、使用显影液对所述阵列基板上的所述光刻胶进行溶解；

步骤S105、烘干所述阵列基板，并对所述子像素进行刻蚀形成四种与不同颜色子像素结构对应的、深度不同的储液槽。