[发明专利]一种基于RGBW的Micro-LED光刻工艺

权利要求书

1. 一种基于RGBW的Micro-LED光刻工艺，用于在阵列基板上制备Micro-LED显示像素内子像素结构的储液槽，其特征在于：所述显示像素在阵列基板处阵列排布；显示像素内的每个子像素结构均呈矩形，其长为第一长度，宽为第一宽度，同一显示像素内子像素之间的间隙为第一间隙；每个子像素结构包括一个储液槽，所述工艺包括以下步骤：

步骤S101、在阵列基板的受光面涂覆光刻胶；

步骤S102、调整掩膜版，使所述掩膜版上的每个透光区的中心在所述阵列基板上的投影位于与该透光区相对应的所述显示像素的中心；其中，所述掩膜版与所述阵列基板之间的距离为第一距离；

步骤S103、以四组光源通过掩膜版透光区对阵列基板上的光刻胶进行曝光，其中，每组光源对应一组相同颜色的所述子像素结构，四组光源的入射方向与所述阵列基板的夹角均相等为第一角度，所述第一距离满足，每组所述光源的光照强度和光照时间是根据与该组光源对应颜色的所述子像素需填充的量子点胶体体积决定，以使与不同颜色子像素结构对应的光刻胶部位所受光照存在差异；

步骤S104、使用显影液对所述阵列基板上的所述光刻胶进行溶解；

步骤S105、烘干所述阵列基板，并对所述子像素进行刻蚀形成四种与不同颜色子像素结构对应的、深度不同的储液槽。

2.根据权利要求1所述的一种基于RGBW的Micro-LED光刻工艺，其特征在于：在步骤S103中，若维持所述掩膜版与所述阵列基板相对位置不变，使所述掩膜版与所述阵列基板之间的所述第一距离d保持不变，则采用入射方向不同的四组光源同时透过所述掩膜版的所述透光区对不同组别的所述子像素结构进行曝光。

3.根据权利要求1所述的一种基于RGBW的Micro-LED光刻工艺，其特征在于：在步骤S103中，若控制所述光源，保持四组所述光源的入射方向不变，使所述第一角度保持不变，则调整所述掩膜版，改变所述掩膜版与所述阵列基板之间的所述第一距离d使四组所述光源对不同组别的子像素进行曝光。

4.根据权利要求1所述的一种基于RGBW的Micro-LED光刻工艺，其特征在于：每个显示像素内含四个子像素结构，包括红色子像素结构、绿色子像素结构、蓝色子像素结构以及白色子像素结构；所述各子像素结构在曝光光照方向上均为相等大小的矩形，每个子像素结构的大小和掩膜版对应该子像素结构的透光区的大小相同。

5.根据权利要求1所述的一种基于RGBW的Micro-LED光刻工艺，其特征在于：所述显示像素中，每个所述储液槽下方均设置有UV-LED。

6.根据权利要求1所述的一种基于RGBW的Micro-LED光刻工艺，其特征在于：所述显示像素中，每个储液槽中填充有用于子像素发光的量子点胶体，所述量子点胶体的体积量与储液槽的深度对应。

7.根据权利要求6所述的一种基于RGBW的Micro-LED光刻工艺，其特征在于：在向储液槽填充量子点胶体后，对各储液槽进行封胶处理以形成厚度一致的封胶层。

8.根据权利要求1所述的一种基于RGBW的Micro-LED光刻工艺，其特征在于：所述光刻胶为正性光刻胶。

9.根据权利要求1所述的一种基于RGBW的Micro-LED光刻工艺，其特征在于：所述显示像素在阵列基板处纵向横向阵列排布；在各显示像素内，不同颜色子像素结构的分布位置相同。