[发明专利]一种抗静电半导体芯片切割保护膜

说明书

本发明公开了芯片切割保护膜技术领域，具体领域为一种抗静电半导体芯片切割保护膜，包括抗静电离型涂层、PVC蓝膜，蓝膜保护底涂和抗静电亚克力胶层，具有柔韧性好，耐高温，易于晶圆扩晶、晶圆切割，在扩晶和切割中能消除摩擦产生的静电，其中蓝膜保护底涂的设置，能够一定程度上防止PVC蓝膜中增塑剂析出渗入胶层，提高PVC蓝膜耐高温和耐溶剂性，且使PVC蓝膜不易收缩，抗静电亚克力胶层剥离强度稳定且耐高温180℃，抗静电。使用PVC蓝膜能醒目、有效识别该保护膜，方便使用。本发明保护膜，总厚度为80±2um，剥离强度为100±20gf/inch，不残胶，抗静电阻值106～109Ω，离型力20gf/inch。

技术领域

本发明涉及芯片切割保护膜技术领域，具体领域为一种抗静电半导体芯片切割保护膜。

背景技术

随着芯片产业的发展，在芯片制造过程中有晶圆扩晶、切割等工序，在此工序中需要一种醒目有效识别，且柔韧性好，无硅转移，能保护晶圆不受物理损伤的保护膜。市面上多数采用PVC等基材配合胶黏剂制作成保护膜。

PVC主要成分为聚氯乙烯，随着助剂用量不同，分为软、硬聚氯乙烯，软制品柔而韧、手感粘，硬制品的硬度高于低密度聚乙烯、而低于聚丙烯。柔软的PVC膜的缺点是容易发生增塑剂的缓慢释放，且不耐溶剂不耐高温，现有采用PVC等基材配合胶黏剂制作成保护膜遇乙酯等溶剂会收缩打卷，遇热会有收缩现象，不利于涂布流平性，为此提出一种抗静电半导体芯片切割保护膜。

发明内容

本发明的目的在于提供一种抗静电半导体芯片切割保护膜，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种抗静电半导体芯片切割保护膜，包括抗静电离型涂层、PVC蓝膜，蓝膜保护底涂和抗静电亚克力胶层。

优选的，抗静电亚克力胶层包括以下重量份的原料：丙烯酸树脂40～60份、环氧型固化剂0.5～3份、异氰酸酯固化剂1～5份、抗静电剂0.4～2份和溶剂30～50份。

优选的，蓝膜保护底涂包括以下重量份的原料：水性聚氨酯树脂30～50份、助溶剂4～10份、固化剂1～3份、流平剂3～7份和溶剂10～30份。

优选的，抗静电离型涂层包括以下重量份的原料：主剂10～60份、铂金催化剂0.02～2份、抗静电剂0.4～2份和稀释剂100～200份。

优选的，抗静电剂为高分子导电聚合物、乙氧基化脂肪族烷基胺类、磺酸锂盐类、金属离子中的一种或多种。

优选的，溶剂为乙酯。

优选的，助溶剂为异丙醇，固化剂为氨基树脂或异氰酸酯，流平剂为有机硅烷，溶剂为去离子水。

优选的，主剂为甲基硅油，稀释剂为乙酯或甲苯。

本发明的有益效果是：一种抗静电半导体芯片切割保护膜，具有柔韧性好，耐高温，易于晶圆扩晶、晶圆切割，在扩晶和切割中能消除摩擦产生的静电，其中蓝膜保护底涂的设置，能够一定程度上防止PVC蓝膜中增塑剂析出渗入胶层，提高PVC蓝膜耐高温和耐溶剂性，且使PVC蓝膜不易收缩，抗静电亚克力胶层剥离强度稳定且耐高温180℃，抗静电。使用PVC蓝膜能醒目、有效识别该保护膜，方便使用。本发明保护膜，总厚度为80±2um，剥离强度为100±20gf/inch，不残胶，抗静电阻值106～109Ω，离型力20gf/inch。

附图说明

图1为本发明抗静电半导体芯片切割保护膜主体结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例，对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。