[发明专利]一种抗静电半导体芯片切割保护膜

权利要求书

1.一种抗静电半导体芯片切割保护膜，其特征在于：包括抗静电离型涂层、PVC蓝膜，蓝膜保护底涂和抗静电亚克力胶层。

2.根据权利要求1所述的一种抗静电半导体芯片切割保护膜，其特征在于：抗静电亚克力胶层包括以下重量份的原料：丙烯酸树脂40～60份、环氧型固化剂0.5～3份、异氰酸酯固化剂1～5份、抗静电剂0.4～2份和溶剂30～50份。

3.根据权利要求1所述的一种抗静电半导体芯片切割保护膜，其特征在于：蓝膜保护底涂包括以下重量份的原料：水性聚氨酯树脂30～50份、助溶剂4～10份、固化剂1～3份、流平剂3～7份和溶剂10～30份。

4.根据权利要求1所述的一种抗静电半导体芯片切割保护膜，其特征在于：抗静电离型涂层包括以下重量份的原料：主剂10～60份、铂金催化剂0.02～2份、抗静电剂0.4～2份和稀释剂100～200份。

5.根据权利要求2或4所述的一种抗静电半导体芯片切割保护膜，其特征在于：抗静电剂为高分子导电聚合物、乙氧基化脂肪族烷基胺类、磺酸锂盐类、金属离子中的一种或多种。

6.根据权利要求2所述的一种抗静电半导体芯片切割保护膜，其特征在于：溶剂为乙酯。

7.根据权利要求3所述的一种抗静电半导体芯片切割保护膜，其特征在于：助溶剂为异丙醇，固化剂为氨基树脂或异氰酸酯，流平剂为有机硅烷，溶剂为去离子水。

8.根据权利要求4所述的一种抗静电半导体芯片切割保护膜，其特征在于：主剂为甲基硅油，稀释剂为乙酯或甲苯。