[发明专利]半导体装置结构在审
| 申请号： | 202110105106.8 | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN113658950A | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 潘冠廷;江国诚;张尚文;蔡庆威;程冠伦;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置结构，其特征在于，包含：
一第一栅极电极层；
一第二栅极电极层，与该第一栅极电极层相邻；
一介电特征，设置在该第一栅极电极层与该第二栅极电极层之间，其中该介电特征具有一第一表面；
一第一导电层，设置在该第一栅极电极层上，其中该第一导电层具有一第二表面；
一第二导电层，设置在该第二栅极电极层上，其中该第二导电层具有一第三表面，其中该第一表面、该第二表面及该第三表面为共平面；
一第三导电层，设置在该第一导电层之上；
一第四导电层，设置在该第二导电层之上；以及
一介电层，设置在该介电特征的该第一表面上，其中该介电层设置在该第三导电层与该第四导电层之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
