[发明专利]一种调整MEMS麦克风吸合电压的工艺方法

说明书

本发明涉及一种调整MEMS麦克风吸合电压的工艺方法，MEMS麦克风包括基底、设置在基底上的振膜、及设置在振膜上的背板，基底具有空腔，调整MEMS麦克风吸合电压的工艺方法包括：提供等离子体化学气相沉积设备，等离子体化学气相沉积设备利用射频产生N₂O等离子体，N₂O等离子体穿过空腔作用在振膜上，在振膜上形成氮氧化硅层，改变MEMS麦克风的吸合电压，使得MEMS麦克风的吸合电压趋向减小分布，满足使用范围要求，提高产品良率，节约资源。

技术领域

本发明涉及一种调整MEMS麦克风吸合电压的工艺方法。

背景技术

随着无线通讯的发展，全球移动电话用户越来越多，用户对移动电话的要求已不仅满足于通话，而且要能够提供高质量的通话效果，尤其是目前移动多媒体技术的发展，移动电话的通话质量更显重要，移动电话的麦克风作为移动电话的语音拾取装置，其设计好坏直接影响通话质量。

而目前应用较多且性能较好的麦克风是MEMS麦克风，MEMS麦克风是基于MEMS技术制造的硅基麦克风，其容易与CMOS工艺相兼容。MEMS麦克风与传统麦克风比较，具有体积小，制造成本低等优点。随着科技的快速发展，MEMS麦克风的应用越来越广泛。

吸合电压是MEMS麦克风的一个重要参数指标，MEMS麦克风正常工作时，要求吸合电压在一定的范围内，吸合电压过大或过小，都会影响MEMS麦克风的正常工作，甚至会降低MEMS麦克风的可靠性。但是，MEMS麦克风完成晶圆加工后，当发现其吸合电压不在器件设计范围内时，现有的技术或工艺中，还未找到合适的方法来调整其吸合电压以满足使用条件，导致MEMS麦克风的制备良率低，浪费资源。

发明内容

本发明的目的在于提供一种调整MEMS麦克风吸合电压的工艺方法，方法简单且能够改变MEMS硅麦克风的吸合电压。

为达到上述目的，本发明提供如下技术方案：一种调整MEMS麦克风吸合电压的工艺方法，所述MEMS麦克风包括基底、设置在所述基底上的振膜、及设置在所述振膜上的背板，所述基底具有空腔，所述调整MEMS麦克风吸合电压的工艺方法包括：

提供等离子体化学气相沉积设备，所述等离子体化学气相沉积设备利用射频产生N₂O等离子体，所述N₂O等离子体穿过所述空腔作用在所述振膜上，在所述振膜上形成氮氧化硅层，改变所述MEMS麦克风的吸合电压。

进一步地，所述等离子体化学气相沉积设备的射频为13.56MHz。

进一步地，产生N₂O等离子体的条件：温度为250-350℃，功率为400-500W，气体流量为700-900sccm。

进一步地，所述N₂O等离子体作用在所述振膜上的时间增长，所述MEMS麦克风的吸合电压降低。

进一步地，所述空腔的深度为300-400um。

进一步地，所述背板和振膜的材料为多晶硅。

本发明的有益效果在于：本发明所示的调整MEMS麦克风吸合电压的工艺方法，通过N₂O等离子体作用在振膜上形成氮氧化硅层，以改变MEMS麦克风的吸合电压，使得MEMS麦克风的吸合电压趋向减小分布，满足使用范围要求，提高产品良率，节约资源。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。

附图说明

图1为本发明所示的MEMS麦克风的结构示意图；

图2为本发明所示的振膜和背板之间形成电容系统的结构示意图；