[发明专利]一种调整MEMS麦克风吸合电压的工艺方法

权利要求书

1.一种调整MEMS麦克风吸合电压的工艺方法，所述MEMS麦克风包括基底、设置在所述基底上的振膜、及设置在所述振膜上的背板，所述基底具有空腔，其特征在于，所述调整MEMS麦克风吸合电压的工艺方法包括：

提供等离子体化学气相沉积设备，所述等离子体化学气相沉积设备利用射频产生N₂O等离子体，所述N₂O等离子体穿过所述空腔作用在所述振膜上，在所述振膜上形成氮氧化硅层，改变所述MEMS麦克风的吸合电压，其中，所述N₂O等离子体作用在所述振膜上的时间增长，所述MEMS麦克风的吸合电压降低。

2.如权利要求1所述的调整MEMS麦克风吸合电压的工艺方法，其特征在于，所述等离子体化学气相沉积设备的射频为13.56MHz。

3.如权利要求1所述的调整MEMS麦克风吸合电压的工艺方法，其特征在于，产生N₂O等离子体的条件：温度为250-350℃，功率为400-500W，气体流量为700-900sccm。

4.如权利要求1所述的调整MEMS麦克风吸合电压的工艺方法，其特征在于，所述空腔的深度为300-400um。

5.如权利要求1所述的调整MEMS麦克风吸合电压的工艺方法，其特征在于，所述背板和振膜的材料为多晶硅。