[发明专利]制造晶体管的方法

权利要求书

1.一种制造晶体管的方法，其特征在于，包含以下步骤：

在一基板上方形成一半导体层；

蚀刻该半导体层的一部分以形成一第一凹槽及一第二凹槽；

在该半导体层上方形成一第一掩膜层；

对该第一掩膜层执行一第一热处理，该第一热处理使该第一掩膜层致密化；

蚀刻该第一掩膜层以便暴露该第一凹槽；

在该第一凹槽中形成一第一半导体材料；

及移除该第一掩膜层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该执行该第一热处理包含一辐射处理。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该执行该第一热处理包含一等离子体处理。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该第一热处理使该第一掩膜层的至少一部分结晶。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在该第一热处理之后，该第一掩膜层具有比在该第一热处理之前更粗糙的一上部表面。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括以下步骤：

在该半导体层上方形成一第二掩膜层；

对该第二掩膜层执行一第二热处理，该第二热处理使该第二掩膜层致密化；

蚀刻该第二掩膜层以便暴露该第二凹槽；

及在该第二凹槽中形成一第二半导体材料。

7.一种制造晶体管的方法，其特征在于，包含以下步骤：

在一第一基板上方形成一半导体层；

蚀刻该半导体层以形成一第一区域中的一第一凹槽及一第二区域中的一第二凹槽；

在该第一区域及该第二区域上方沉积一第一掩膜层；

使该第一掩膜层粗糙化；

自该第二区域移除该第一掩膜层；

在该第二凹槽中形成一第一磊晶源极/漏极区域；

移除该第一掩膜层的剩余部分；

在该第一区域及该第二区域上方沉积一第二掩膜层；

使该第二掩膜层粗糙化；

自该第一区域移除该第二掩膜层；

在该第一凹槽中形成一第二磊晶源极/漏极区域；

移除该第二掩膜层的剩余部分；

及在该半导体层上方形成一栅极结构。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，使该第一掩膜层粗糙化及使该第二掩膜层粗糙化中的一者包含一热处理，并且其中另一者包含一等离子体处理。

9.根据权利要求7所述的方法，其中在使该第一掩膜层粗糙化之前，该第一掩膜层为非晶的，并且其中在使该第一掩膜层粗糙化之后，该第一掩膜层的至少一上部部分为结晶的。

10.一种制造晶体管的方法，其特征在于，包含以下步骤：

在一基板上方沉积一掩膜层，该基板包含一第一凹槽及一第二凹槽；

对该掩膜层执行一沉积后处理；

各向异性地蚀刻该掩膜层以暴露该第二凹槽；

磊晶生长一半导体材料的在该掩膜层上方的一第一部分及该半导体材料的在该第二凹槽中的一第二部分，该第一部分包含不连续结节；

及各向同性地蚀刻以便移除该掩膜层。