[发明专利]一种AMOLED显示屏及其制造方法在审
| 申请号: | 202110103331.8 | 申请日: | 2021-01-26 |
| 公开(公告)号: | CN112786673A | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
| 发明(设计)人: | 曾平川 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人: | 崔家源;范继晨 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 amoled 显示屏 及其 制造 方法 | ||
本公开实施例提供了一种AMOLED显示屏及其制造方法,AMOLED显示屏至少包括:平坦层,设置在平坦层上的中间层,以及,设置在中间层上的阳极层;其中,中间层第一区域的表面粗糙度小于中间层第二区域的表面粗糙度,第二区域的表面粗糙度大于平坦层的表面粗糙度;第一区域为中间层上除去第二区域之外的其它区域,第二区域为阳极层中预定类型像素在中间层上对应的区域,预定类型像素包括R色像素和/或B色像素。本公开实施例在平坦层上设置了中间层,通过对中间层的表面粗糙度进行处理,使得设置在中间层上的阳极层能够在具有较好的反射和透射效果,增加大角度下反射和透射的光,解决了AMOLED显示屏大角度下白光色偏的问题。
技术领域
本公开涉及显示器领域,特别涉及一种AMOLED显示屏及其制造方法。
背景技术
AMOLED(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode,有源矩阵有机发光二极体面板)屏具有色域广、分辨率高、可单独控制每个像素等优点,在终端应用范围日益扩大,尤其AMOLED大尺寸面板在终端市场占比越来越高,如大屏手机、笔记本电脑、车载仪表显示等。
当前AMOLED显示屏的阳极一般是在PLN层(平坦层)上沉积ITO(氧化铟锡)/Ag(银)/ITO作为阳极,利用了PLN平坦化的作用,使得整面制作的阳极表面差异小,反射光较多,发光性能更好。然而,随着面板尺寸增加,用户的视觉角度也相应变大,此时AMOLED显示屏大角度下白光色偏的问题逐渐显示出来,降低了AMOLED显示屏的使用性能,影响用户使用体验。
发明内容
有鉴于此,本公开实施例提出了一种AMOLED显示屏及其制造方法,用以解决现有技术的如下问题:随着面板尺寸增加,用户的视觉角度也相应变大,此时AMOLED显示屏大角度下白光色偏的问题逐渐显示出来,降低了AMOLED显示屏的使用性能,影响用户使用体验。
一方面,本公开实施例提出了一种AMOLED显示屏,至少包括:平坦层,设置在所述平坦层上的中间层,以及,设置在所述中间层上的阳极层;其中,所述中间层第一区域的表面粗糙度小于所述中间层第二区域的表面粗糙度,所述第二区域的表面粗糙度大于所述平坦层的表面粗糙度;所述第一区域为所述中间层上除去所述第二区域之外的其它区域,所述第二区域为所述阳极层中预定类型像素在中间层上对应的区域,所述预定类型像素包括R色像素和/或B色像素。
在一些实施例中,所述第一区域为经过脉冲激光处理后的区域。
在一些实施例中,全部所述第二区域所占面积为全部预定类型像素所占面积的一半。
在一些实施例中,一个所述第二区域的图案对应一个预定类型像素的图案。
在一些实施例中,一个所述第二区域的图案对应一个预定类型像素的部分图案。
在一些实施例中,所述阳极层为复合型透明导电膜ITO/Ag/ITO。
在一些实施例中,还包括:设置在所述阳极层上的发光材料层,以及,设置在所述封装层之上的所述发光材料层。
另一方面,本公开实施例提出了一种AMOLED显示屏的制造方法,至少包括:在平坦层上采用等离子体增强化学的气相沉积法沉积一层中间层,其中,沉积的所述中间层的表面粗糙度大于所述平坦层的表面粗糙度;采用预定方式处理所述中间层上的第一区域,以使得所述中间层第一区域的表面粗糙度小于所述中间层第二区域的表面粗糙度,其中,所述第一区域为所述中间层上除去所述第二区域之外的其它区域,所述第二区域为阳极层中预定类型像素在中间层上对应的区域,所述预定类型像素包括R色像素和/或B色像素。
在一些实施例中,所述采用预定方式处理所述中间层上的第一区域,包括:采用脉冲激光处理所述中间层上的第一区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





