[发明专利]一种AMOLED显示屏及其制造方法在审
| 申请号: | 202110103331.8 | 申请日: | 2021-01-26 |
| 公开(公告)号: | CN112786673A | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
| 发明(设计)人: | 曾平川 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人: | 崔家源;范继晨 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 amoled 显示屏 及其 制造 方法 | ||
1.一种AMOLED显示屏,其特征在于,至少包括:
平坦层,设置在所述平坦层上的中间层,以及,设置在所述中间层上的阳极层;其中,
所述中间层第一区域的表面粗糙度小于所述中间层第二区域的表面粗糙度,所述第二区域的表面粗糙度大于所述平坦层的表面粗糙度;
所述第一区域为所述中间层上除去所述第二区域之外的其它区域,所述第二区域为所述阳极层中预定类型像素在中间层上对应的区域,所述预定类型像素包括R色像素和/或B色像素。
2.如权利要求1所述的AMOLED显示屏,其特征在于,所述第一区域为经过脉冲激光处理后的区域。
3.如权利要求1所述的AMOLED显示屏,其特征在于,全部所述第二区域所占面积为全部预定类型像素所占面积的一半。
4.如权利要求3所述的AMOLED显示屏,其特征在于,一个所述第二区域的图案对应一个预定类型像素的图案。
5.如权利要求3所述的AMOLED显示屏,其特征在于,一个所述第二区域的图案对应一个预定类型像素的部分图案。
6.如权利要求1所述的AMOLED显示屏,其特征在于,所述阳极层为复合型透明导电膜ITO/Ag/ITO。
7.如权利要求1至6中任一项所述的AMOLED显示屏,其特征在于,还包括:
设置在所述阳极层上的发光材料层,以及,设置在所述封装层之上的所述发光材料层。
8.一种AMOLED显示屏的制造方法,其特征在于,至少包括:
在平坦层上采用等离子体增强化学的气相沉积法沉积一层中间层,其中,沉积的所述中间层的表面粗糙度大于所述平坦层的表面粗糙度;
采用预定方式处理所述中间层上的第一区域,以使得所述中间层第一区域的表面粗糙度小于所述中间层第二区域的表面粗糙度,其中,所述第一区域为所述中间层上除去所述第二区域之外的其它区域,所述第二区域为阳极层中预定类型像素在中间层上对应的区域,所述预定类型像素包括R色像素和/或B色像素。
9.如权利要求8所述的制造方法,其特征在于,所述采用预定方式处理所述中间层上的第一区域,包括:
采用脉冲激光处理所述中间层上的第一区域。
10.如权利要求8或9所述的制造方法,其特征在于,所述采用预定方式处理所述中间层上的第一区域之后,还包括:
在采用所述预定方式处理后的所述中间层上沉积所述阳极层;
在所述阳极层上蒸镀发光材料,以形成发光材料层;
在蒸镀完发光材料层上进行薄膜封装。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





