[发明专利]半导体装置及半导体存储装置

说明书

本发明涉及一种半导体装置及半导体存储装置。实施方式的半导体装置具备：衬底；第1电极；第2电极，其与衬底之间设置着第1电极；氧化物半导体层，设置在第1电极与第2电极之间，与第1电极相接，含有选自由铟(In)、镓(Ga)、硅(Si)、铝(Al)及锡(Sn)所组成的群中的至少一种第1元素和锌(Zn)，化学组成和第1电极及第2电极不同；导电层，设置在氧化物半导体层与第2电极之间，与第2电极相接，含有选自由铟(In)、镓(Ga)、硅(Si)、铝(Al)、锡(Sn)、锌(Zn)及钛(Ti)所组成的群中的至少一种第2元素和氧(O)，化学组成和第1电极、第2电极及氧化物半导体层不同；栅极电极；以及栅极绝缘层，设置在氧化物半导体层与栅极电极之间。

相关申请案的引用

本申请案基于2020年09月16日提出申请的以往日本专利申请案第2020-155889号的优先权利益，且追求该利益，其全部内容通过引用而包含于此。

技术领域

本发明的实施方式涉及一种半导体装置及半导体存储装置。

背景技术

在氧化物半导体层中形成有通道的氧化物半导体晶体管有着截止动作时的通道漏电流极小这一优异特性。因此，业界正在研究例如将氧化物半导体晶体管应用于动态随机存取存储器(DRAM，Dynamic Random Access Memory)的存储单元的开关晶体管。

例如，在将氧化物半导体晶体管应用于存储单元的开关晶体管时，氧化物半导体晶体管会经历形成于上层的配线在形成时所伴随的热处理。因此，期待实现一种氧化物半导体晶体管，其即使经过热处理，特性变动也较少，具备稳定特性。

发明内容

本发明要解决的问题在于，提供一种具备稳定特性的半导体装置。

实施方式的半导体装置具备：衬底；第1电极；第2电极，其与所述衬底之间设置着所述第1电极；氧化物半导体层，设置在所述第1电极与所述第2电极之间，与所述第1电极相接，含有选自由铟(In)、镓(Ga)、硅(Si)、铝(Al)及锡(Sn)所组成的群中的至少一种第1元素和锌(Zn)，化学组成和所述第1电极及所述第2电极不同；导电层，设置在所述氧化物半导体层与所述第2电极之间，与所述第2电极相接，含有选自由铟(In)、镓(Ga)、硅(Si)、铝(Al)、锡(Sn)、锌(Zn)及钛(Ti)所组成的群中的至少一种第2元素和氧(O)，化学组成和所述第1电极、所述第2电极及所述氧化物半导体层不同；栅极电极；以及栅极绝缘层，设置在所述氧化物半导体层与所述栅极电极之间。

根据所述构成，能够提供一种具备稳定特性的半导体装置。

附图说明

图1是第1实施方式的半导体装置的示意剖视图。

图2是第1实施方式的半导体装置的示意剖视图。

图3是比较例的半导体装置的示意剖视图。

图4(a)、(b)是第1实施方式的半导体装置的作用及效果的说明图。

图5是第1实施方式的半导体装置的第1变化例的示意剖视图。

图6是第1实施方式的半导体装置的第2变化例的示意剖视图。

图7是第1实施方式的半导体装置的第3变化例的示意剖视图。

图8是第2实施方式的半导体装置的示意剖视图。

图9是第3实施方式的半导体装置的示意剖视图。

图10是第3实施方式的半导体装置的示意剖视图。

图11是第3实施方式的半导体装置的变化例的示意剖视图。

图12是第4实施方式的半导体存储装置的等效电路图。