[发明专利]半导体装置及半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：衬底；第1电极；第2电极，其与所述衬底之间设置着所述第1电极；氧化物半导体层，设置在所述第1电极与所述第2电极之间，与所述第1电极相接，含有选自由铟(In)、镓(Ga)、硅(Si)、铝(Al)及锡(Sn)所组成的群中的至少一种第1元素和锌(Zn)，化学组成和所述第1电极及所述第2电极不同；导电层，设置在所述氧化物半导体层与所述第2电极之间，与所述第2电极相接，含有选自由铟(In)、镓(Ga)、硅(Si)、铝(Al)、锡(Sn)、锌(Zn)及钛(Ti)所组成的群中的至少一种第2元素和氧(O)，化学组成和所述第1电极、所述第2电极及所述氧化物半导体层不同；栅极电极；以及栅极绝缘层，设置在所述氧化物半导体层与所述栅极电极之间。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述栅极电极包围所述氧化物半导体层。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其还具备绝缘层，所述绝缘层设置在所述第1电极与所述第2电极之间，由所述氧化物半导体层包围。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体层的一部分设置在所述第1电极与所述绝缘层之间。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体层与所述导电层相接。

6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述导电层的载流子浓度高于所述氧化物半导体层的载流子浓度。

7.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述导电层所含的锡(Sn)的原子浓度高于所述氧化物半导体层所含的锡(Sn)的原子浓度。

8.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述导电层所含的铟(In)的原子浓度高于所述氧化物半导体层所含的铟(In)的原子浓度。

9.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述栅极绝缘层具有第1区域及第2区域，所述第2区域在其与所述第1区域之间设置着所述氧化物半导体层，在平行于从所述第1电极朝向所述第2电极的第1方向且包含所述氧化物半导体层的剖面中，第1位置处的所述第1区域与所述第2区域之间的第1距离小于第2位置处的所述第1区域与所述第2区域之间的第2距离，所述第2位置距所述第1电极的距离大于所述第1电极与所述第1位置的距离。

10.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体层含有铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)。

11.一种半导体装置，具备：第1电极；第2电极；氧化物半导体层，设置在所述第1电极与所述第2电极之间，与所述第1电极相接，含有选自由铟(In)、镓(Ga)、硅(Si)、铝(Al)及锡(Sn)所组成的群中的至少一种第1元素和锌(Zn)，化学组成和所述第1电极及所述第2电极不同；导电层，设置在所述氧化物半导体层与所述第2电极之间，与所述第2电极相接，含有选自由铟(In)、镓(Ga)、硅(Si)、铝(Al)、锡(Sn)、锌(Zn)及钛(Ti)所组成的群中的至少一种第2元素和氧(O)，化学组成和所述第1电极、所述第2电极及所述氧化物半导体层不同；栅极电极；以及栅极绝缘层，设置在所述氧化物半导体层与所述栅极电极之间；所述栅极绝缘层具有第1区域及第2区域，所述第2区域在其与所述第1区域之间设置着所述氧化物半导体层，在平行于从所述第1电极朝向所述第2电极的第1方向且包含所述氧化物半导体层的剖面中，第1位置处的所述第1区域与所述第2区域之间的第1距离小于第2位置处的所述第1区域与所述第2区域之间的第2距离，所述第2位置距所述第1电极的距离大于所述第1电极与所述第1位置的距离。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述栅极电极包围所述氧化物半导体层。