[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底；

位于所述基底上栅极结构的和第一介质层，所述栅极结构侧壁具有侧墙，且所述第一介质层覆盖所述栅极结构侧壁表面；

位于所述第一介质层内且暴露出基底表面的插塞开口；

位于所述插塞开口内的源漏插塞；

位于所述源漏插塞和栅极结构之间的空腔。

位于所述栅极结构、源漏插塞以及空腔顶表面的第三介质层，且所述第三介质层将所述空腔顶部封闭。

2.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成栅极结构和第一介质层，所述第一介质层覆盖所述栅极结构侧壁表面；

在所述第一介质层内形成暴露出基底表面的插塞开口，所述插塞开口与栅极结构之间的第一介质层形成牺牲侧墙；

在所述插塞开口内形成源漏插塞；

形成所述源漏插塞之后，去除所述牺牲侧墙，在所述源漏插塞和栅极结构之间形成空腔。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅极结构和第一介质层的形成方法包括：在所述基底上形成伪栅极结构；在所述基底上形成第一介质层，且所述第一介质层覆盖所述伪栅极结构侧壁表面；去除所述伪栅极结构，在所述第一介质层内形成伪栅开口；在所述伪栅开口内形成所述栅极结构。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述伪栅开口内形成栅极结构的方法包括：在所述伪栅开口底部表面形成界面层；在所述伪栅开口底部和侧壁表面以及第一介质层表面形成高K介质材料膜，且所述高K介质材料膜位于界面层表面；在所述高K介质材料膜表面形成功函数材料膜；在所述功函数材料膜表面形成栅极材料膜；平坦化所述高K介质材料膜、功函数材料膜以及栅极材料膜，直至暴露出第一介质层表面，使所述高K介质材料膜形成高K介质层，使所述功函数材料膜形成功函数层，使所述栅极材料膜形成栅极层，从而在所述伪栅开口内形成栅极结构。

5.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：形成所述伪栅极结构之后，形成所述第一介质层之前，在所述伪栅极结构侧壁表面形成侧墙；所述第一介质层覆盖所述侧墙侧壁表面。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：形成所述侧墙之后，形成所述第一介质层之前，在所述伪栅极结构和侧墙两侧的基底内形成源漏掺杂区；形成所述源漏掺杂区之后，形成所述第一介质层和位于所述第一介质层内的插塞开口，且所述插塞开口暴露出所述源漏掺杂区表面。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述源漏插掺杂区的形成方法包括：去除所述伪栅极结构和侧墙两侧的部分基底，在所述基底内形成源漏开口；在所述源漏开口内形成源漏掺杂区。

8.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述源漏插塞顶部表面高于所述栅极结构顶部表面。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：形成所述栅极结构和第一介质层之后，形成所述插塞开口之前，在所述第一介质层表面和栅极结构表面形成第二介质层；在所述第一介质层和第二介质层内形成所述插塞开口。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述插塞开口的形成方法包括：在所述第二介质层表面形成图形化层，所述图形化层暴露出源漏掺杂区上的第二介质层表面；以所述图形化层为掩膜，刻蚀所述第一介质层和第二介质层，直至暴露出源漏掺杂区表面，在所述第一介质层和第二介质层内形成所述插塞开口。

11.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述源漏插塞的形成方法包括：在所述插塞开口内和第二介质层表面形成源漏插塞材料膜；平坦化所述源漏插塞材料膜，直至暴露出第二介质层表面，在所述插塞开口内形成所述源漏插塞。