[发明专利]第一清洗装置、包括该装置的清洗设备以及清洗方法

说明书

所公开的是第一清洗装置，该第一清洗装置包括第一清洗浴、设置在第一清洗浴的上部处的盖、设置在第一清洗浴的下部处的排放部分、分别设置在第一清洗浴中的第一侧表面和第二侧表面处的第一清洗单元和第二清洗单元、以及分别构造成使第一清洗单元和第二清洗单元运动的第一运动单元和第二运动单元，其中，第一清洗单元和第二清洗单元中的每一个包括设置在不同高度处的多个清洗溶液供应管和设置在清洗溶液供应管中的每一个处的多个喷嘴，设置在一个清洗溶液供应管处的喷嘴具有相同的清洗溶液喷射角度，并且设置在其它清洗溶液供应管处的喷嘴具有不同的清洗液喷射角度。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年1月31日在韩国提交的韩国专利申请第10-2020-0011953号的优先权，其全文以参见的方式纳入本文，如同在本文中充分阐述一样。

技术领域

各实施例涉及晶片的清洗，并且更具体地涉及一种能够将颗粒从使用线材锯切下来的多个晶片中分离出来的第一清洗装置、包括该装置的清洗设备和清洗方法。

背景技术

通常的硅片通过以下工序形成：形成单晶锭的单晶生长工序、切割单晶锭以获得薄圆盘形晶片的切片工序、移除因切割而残留在晶片上的由机械加工造成的损伤的研磨工序、抛光晶片的抛光工序、以及从抛光的晶片移除抛光剂和异物的清洗工序。

除了在抛光工序之后的清洗工序之外，可能需要在切片工序之后、研磨晶片之前执行将颗粒从晶片表面分离的清洗工序。

其原因是，当单晶锭被切片成晶片的厚度时，生成诸如抛光粉末之类的杂质(颗粒)，并且该杂质附着于晶片。

一般而言，晶片清洗装置能够将具有固定于其的多个分离的晶片的锭块在充满清洗溶液的清洗浴中浸泡预定时间，以清洗晶片。然而，在锭块于清洗浴中静止的状态下执行清洗的情况下，可执行非均匀清洗。

还可使用一种将空气与清洗溶液一起注入清洗浴中以生成微泡以便从晶片移除异物的方法。然而，仅通过清洗浴中的清洗溶液与微泡之间的碰撞，可能难以从晶片表面完全地移除各种不同尺寸的颗粒。

发明内容

各实施例提供了一种充分地从由晶锭切片而得的晶片的表面移除各种不同尺寸颗粒的方法。

各实施例的目的不限于上述目的，并且基于以下描述，本领域技术人员将清楚地理解其它未提及的目的。

在一种实施例中，第一清洗装置包括第一清洗浴、设置在第一清洗浴的上部处的盖、设置在第一清洗浴的下部处的排放部分、分别设置在第一清洗浴中的第一侧表面和第二侧表面处的第一清洗单元和第二清洗单元、以及分别构造成使第一清洗单元和第二清洗单元运动的第一运动单元和第二运动单元，其中，第一清洗单元和第二清洗单元中的每一个包括设置在不同高度处的多个清洗溶液供应管和设置在多个清洗溶液供应管中的每一个处的多个喷嘴，设置在一个清洗溶液供应管处的多个喷嘴具有相同的清洗溶液喷射角度，并且设置在其它清洗溶液供应管处的多个喷嘴具有不同的清洗溶液喷射角度。

第一清洗单元和第二清洗单元可配置成，在第一清洗浴的中心区域位于它们之间的状态下彼此相对。

第一运动单元和第二运动单元可分别使第一清洗单元和第二清洗单元沿水平方向运动。

第一清洗单元和第二清洗单元中的每一个可包括沿上下方向配置的第一至第n(n是2或更大的整数)清洗溶液供应管，并且设置在第一清洗溶液供应管处的喷嘴的喷射角度相对于水平方向可小于±10°。

设置在第m(m是小于n的整数)清洗溶液供应管处的喷嘴的喷射角度可大于设置在第n清洗溶液供应管处的喷嘴的喷射角度。此处，喷射角度可以是喷嘴相对于水平方向的喷射角度。

设置在第n清洗溶液供应管处的喷嘴的喷射角度可相对于水平方向向下地形成30至50°的角度。