[发明专利]测试板有效

专利信息
申请号: 202110097232.3 申请日: 2021-01-25
公开(公告)号: CN112925683B 公开(公告)日: 2022-04-26
发明(设计)人: 杨辉鹏 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: G06F11/22 分类号: G06F11/22;G06F11/30;G11C29/50;G01R31/00;G01R31/26
代理公司: 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 代理人: 成丽杰
地址: 230601 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 测试
【权利要求书】:

1.一种测试板,应用于内存模组的温湿度测试,其特征在于,包括:

内存插槽,用于连接内存模组;

电源端,用于为所述内存模组供电;

过流保护单元,串接于所述内存插槽与所述电源端之间,用于在所述内存模组短路时熔断;

指示单元,串接于所述过流保护单元与接地端之间,用于指示所述过流保护单元的状态;

所述电源端用于至少提供第一电压和第二电压,所述第二电压大于所述第一电压,所述第一电压用于通过第一过流保护单元向所述内存模组的第一针脚供电,所述第二电压用于通过第二过流保护单元向所述内存模组的第二针脚供电;

所述指示单元包括第一指示单元和第二指示单元,所述第一指示单元串接于所述第一过流保护单元与所述接地端之间,所述第二指示单元串接于所述第二过流保护单元与所述接地端之间;

所述第一电压小于所述第一指示单元的开启电压,所述第一指示单元包括开关单元和发光二极管,所述开关单元的第一端与所述第一过流保护单元的输出端连接,所述开关单元的第二端与所述发光二极管的负极连接,所述发光二极管的正极用于接收大于所述开启电压的电压信号,所述开关单元的第三端接地;其中,所述第一端的电压大于所述开关单元的导通电压时,所述第二端与所述第三端连通,所述导通电压小于所述开启电压。

2.根据权利要求1所述的测试板,其特征在于,所述第二电压大于等于所述第二指示单元的开启电压,所述第二指示单元包括串联的限流电阻和发光二极管。

3.根据权利要求1所述的测试板,其特征在于,所述开关单元包括三极管,所述第一端为所述三极管的基极,所述第二端为所述三极管的集电极,所述第三端为所述三极管的发射极。

4.根据权利要求1所述的测试板,其特征在于,所述第一指示单元还包括:抗干扰电阻,所述抗干扰电阻一端与所述第一端连接,另一端接地。

5.根据权利要求1所述的测试板,其特征在于,所述电源端还用于提供大于所述开启电压的电压信号。

6.根据权利要求1所述的测试板,其特征在于,所述电源端用于向所述内存模组的多个针脚提供同一电压信号。

7.根据权利要求6所述的测试板,其特征在于,所述第一电压用于通过所述内存模组的VDD0引脚至VDD25引脚向所述内存模组供电;所述第二电压用于通过所述内存模组的VPP0引脚至VPP4引脚向所述内存模组供电。

8.根据权利要求7所述的测试板,其特征在于,所述电源端具有4个提供所述第一电压的供电分支,第一供电分支用于通过所述VDD0引脚至VDD6引脚向所述内存模组供电,第二供电分支用于通过VDD7引脚至VDD12引脚向所述内存模组供电,第三供电分支用于通过VDD13引脚至VDD19引脚向所述内存模组供电,第四供电分支用于通过VDD20引脚至所述VDD25引脚向所述内存模组供电。

9.根据权利要求1所述的测试板,其特征在于,所述电源端还用于提供参考电压和第三电压,所述第二电压大于所述第一电压,所述第三电压大于所述第二电压。

10.根据权利要求9所述的测试板,其特征在于,所述第三电压用于通过第三过流保护单元向所述内存模组的第三针脚供电,所述参考电压用于通过参考过流保护单元向所述内存模组的参考针脚供电。

11.根据权利要求10所述的测试板,其特征在于,所述参考电压用于通过VTT0引脚、VTT1引脚以及VREFCA引脚向所述内存模组供电,所述第三电压用于通过VDDSPD引脚向所述内存模组供电。

12.根据权利要求1所述的测试板,其特征在于,所述内存插槽的接地引脚与所述接地端连接。

13.根据权利要求1所述的测试板,其特征在于,所述电源端用于为多个所述内存模组供电。

14.根据权利要求1所述的测试板,其特征在于,所述过流保护单元包括熔丝单元,所述熔丝单元在所述内存模组短路时熔断。

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