[发明专利]三维存储器及其控制方法

权利要求书

1.一种三维存储器的控制方法，所述三维存储器包括多个存储串，每个所述存储串包括多个存储单元，所述存储单元包括第一存储单元，所述方法包括：

在执行读操作时，向选中的第一存储单元提供第一读感测电流，其中，所述第一读感测电流小于编程验证阶段时提供给所述选中的第一存储单元的验证感测电流；以及

向所述选中的第一存储单元提供第一读取电压，其中，所述第一读取电压包括在所述选中的第一存储单元的第一读电压水平上施加第一偏置电压。

2.如权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述存储单元还包括第二存储单元，其中在编程操作中所述第一存储单元先于所述第二存储单元被编程，所述方法还包括：

在执行读操作时，向选中的第二存储单元提供第二读感测电流，其中，所述第二读感测电流小于所述验证感测电流；以及

向所述选中的第二存储单元提供第二读取电压，所述第二读取电压包括在所述第二存储单元的第二读电压水平上施加第二偏置电压。

3.如权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述存储单元还包括第二存储单元，其中在编程操作中所述第一存储单元先于所述第二存储单元被编程，所述方法还包括：

在执行读操作时，向选中的第二存储单元提供第二读感测电流，其中，所述第二读感测电流等于所述验证感测电流；以及

向所述选中的第二存储单元提供第二读取电压，所述第二读取电压包括在所述第二存储单元的第二读电压水平上施加第二偏置电压。

4.如权利要求2或3所述的控制方法，其特征在于，根据所述选中的第一存储单元的阈值电压分布计算所述第一偏置电压，以及根据所述选中的第二存储单元的阈值电压分布计算所述第二偏置电压。

5.如权利要求1至3中任一项所述的控制方法，其特征在于，所述多个第一存储单元包括一个或多个第一子存储单元和一个或多个第二子存储单元，其中在编程操作中所述第一子存储单元先于所述第二子存储单元被编程，所述方法还包括：

在执行读操作时，向选中的第一子存储单元提供第三读感测电流，向选中的第二子存储单元提供第四读感测电流，其中，所述第三读感测电流小于所述第四读感测电流，并且，所述第三读感测电流和所述第四读感测电流都小于所述验证感测电流。

6.如权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述读操作是在所述多个存储单元编程结束后执行。

7.一种三维存储器，包括：

存储单元阵列，包括多个存储串，每个所述存储串在衬底上方竖直延伸并且包括竖直串联布置的多个存储单元，所述存储单元包括第一存储单元；

控制器，配置为：在执行读操作时，向选中的第一存储单元提供第一读感测电流，其中，所述第一读感测电流小于编程验证阶段时提供给所述选中的第一存储单元的验证感测电流；以及

向所述选中的第一存储单元提供第一读取电压，其中，所述第一读取电压包括在所述选中的第一存储单元的第一读电压水平上施加第一偏置电压。

8.如权利要求7所述的三维存储器，其特征在于，所述存储单元还包括第二存储单元，其中在编程操作中所述第一存储单元先于所述第二存储单元被编程，所述控制器还配置为：在执行读操作时，向选中的第二存储单元提供第二读感测电流，其中，所述第二读感测电流小于所述验证感测电流；以及

向所述选中的第二存储单元提供第二读取电压，所述第二读取电压包括在所述第二存储单元的第二读电压水平上施加第二偏置电压。

9.如权利要求7所述的三维存储器，其特征在于，所述控制器还配置为：在执行读操作时，向选中的第二存储单元提供第二读感测电流，其中，所述第二读感测电流等于所述验证感测电流；以及

向所述选中的第二存储单元提供第二读取电压，所述第二读取电压包括在所述第二存储单元的第二读电压水平上施加第二偏置电压。