[发明专利]蚀刻机台的刻蚀缺陷的检测方法

说明书

本公开提供了一种蚀刻机台的刻蚀缺陷的检测方法，属于半导体生产制造技术领域。该方法包括提供测试晶圆，所述测试晶圆包括衬底、第一介质层和第二介质层，所述第一介质层和所述第二介质层依次形成于所述衬底的顶表面，所述衬底内设置有电容接触结构；将所述测试晶圆传递至待测蚀刻机台内，刻蚀部分所述第二介质层和部分所述第一介质层，以形成电容孔；去除所述第二介质层，以形成量测晶圆；将所述量测晶圆传递至缺陷检测机台，检测所述量测晶圆的电容孔的形状；根据所述量测晶圆的电容孔的形状，确定所述待测蚀刻机台是否存在刻蚀缺陷。该方法简单便捷，可准确判断待测蚀刻机台是否存在刻蚀缺陷，提高对蚀刻机台的检测效率。

技术领域

本公开涉及半导体生产制造技术领域，尤其涉及一种蚀刻机台的刻蚀缺陷的检测方法。

背景技术

动态随机存储器是计算机中常用的半导体存储器件，通常包括多个重复的存储单元组成的阵列。每个存储单元包括电容器和晶体管，其中电容器用于存储数据，晶体管可控制电容器对于数据的存取。具体地，晶体管的栅极电连接至动态随机存储器的字线，晶体管的一个源/漏区电连接至动态随机存储器的位线，另一个源/漏区则通过电容接触结构连接至电容器，从而达到数据存储和输出的目的。

随着集成电路制程的发展，动态随机存储器的存储单元的几何尺寸不断减小，对应的电容器在基底上的横向面积逐渐减小。为了获得较大的电容，通常会在基底上形成堆叠层，并采用蚀刻机台在堆叠层中形成暴露电容接触结构的电容孔，从而使后续形成的电容结构具有较大的接触面积，从而获得具有高电容值的电容结构。然而，随着电容孔的深宽比的不断提高，蚀刻机台在刻蚀时存在未能刻穿堆叠层的情况，使得对应的电容孔底部未能暴露出电容接触结构，降低了器件良率。然而，现有技术中对蚀刻机台的检测方法无法检测出该刻蚀缺陷。

所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种蚀刻机台的刻蚀缺陷的检测方法，该方法简单便捷，可准确判断待测蚀刻机台是否存在刻蚀缺陷，提高对蚀刻机台的检测效率。

为实现上述发明目的，本公开采用如下技术方案：

根据本公开的第一个方面，提供一种蚀刻机台的刻蚀缺陷的检测方法，包括：

提供测试晶圆，所述测试晶圆包括衬底、第一介质层和第二介质层，所述第一介质层和所述第二介质层依次形成于所述衬底的顶表面，所述衬底内设置有电容接触结构；

将所述测试晶圆传递至待测蚀刻机台内，刻蚀部分所述第二介质层和部分所述第一介质层，以形成电容孔；

去除所述第二介质层，以形成量测晶圆；

将所述量测晶圆传递至缺陷检测机台，检测所述量测晶圆的电容孔的形状；

根据所述量测晶圆的电容孔的形状，确定所述待测蚀刻机台是否存在刻蚀缺陷。

在本公开的一种示例性实施例中，在形成所述电容孔的步骤之后，在去除所述第二介质层的步骤之前还包括：

于所述电容孔内形成支撑层，所述支撑层至少覆盖所述电容孔的底部及侧壁。

在本公开的一种示例性实施例中，所述支撑层的厚度为8-12nm。

在本公开的一种示例性实施例中，所述支撑层的材料包含氮化钛。

在本公开的一种示例性实施例中，所述去除所述第二介质层，以形成量测晶圆包括：

利用研磨工艺去除所述第二介质层，以及所述第一介质层上方的所述支撑层，以形成所述量测晶圆。