[发明专利]蚀刻机台的刻蚀缺陷的检测方法

权利要求书

1.一种蚀刻机台的刻蚀缺陷的检测方法，其特征在于，包括：

提供测试晶圆，所述测试晶圆包括衬底、第一介质层和第二介质层，所述第一介质层和所述第二介质层依次形成于所述衬底的顶表面，所述衬底内设置有电容接触结构；

将所述测试晶圆传递至待测蚀刻机台内，刻蚀部分所述第二介质层和部分所述第一介质层，以形成电容孔；

去除所述第二介质层，以形成量测晶圆；

将所述量测晶圆传递至缺陷检测机台，检测所述量测晶圆的电容孔的形状；

根据所述量测晶圆的电容孔的形状，确定所述待测蚀刻机台是否存在刻蚀缺陷。

2.根据权利要求1所述的蚀刻机台的刻蚀缺陷的检测方法，其特征在于，在形成所述电容孔的步骤之后，在去除所述第二介质层的步骤之前还包括：

于所述电容孔内形成支撑层，所述支撑层至少覆盖所述电容孔的底部及侧壁。

3.根据权利要求2所述的蚀刻机台的刻蚀缺陷的检测方法，其特征在于，所述支撑层的厚度为8-12nm。

4.根据权利要求2所述的蚀刻机台的刻蚀缺陷的检测方法，其特征在于，所述支撑层的材料包含氮化钛。

5.根据权利要求2所述的蚀刻机台的刻蚀缺陷的检测方法，其特征在于，所述去除所述第二介质层，以形成量测晶圆包括：

利用研磨工艺去除所述第二介质层，以及所述第一介质层上方的所述支撑层，以形成所述量测晶圆。

6.根据权利要求1所述的蚀刻机台的刻蚀缺陷的检测方法，其特征在于，在形成所述量测晶圆的步骤之后，在将所述量测晶圆传递至缺陷检测机台，检测所述量测晶圆的电容孔的形状的步骤之前，还包括：

将所述量测晶圆的电容孔进行清洗，以去除所述量测晶圆的电容孔表面的杂质。

7.根据权利要求6所述的蚀刻机台的刻蚀缺陷的检测方法，其特征在于，采用稀释的氢氟酸溶液将所述量测晶圆的电容孔进行清洗。

8.根据权利要求1所述的蚀刻机台的刻蚀缺陷的检测方法，其特征在于，所述根据所述量测晶圆的电容孔的形状，确定所述待测蚀刻机台是否存在刻蚀缺陷包括：

利用缺陷检测机台获取所述量测晶圆的电容孔的图像；

比较所述量测晶圆的电容孔的图像与正常电容孔的图像，判断所述待测蚀刻机台是否存在刻蚀缺陷。

9.根据权利要求8所述的蚀刻机台的刻蚀缺陷的检测方法，其特征在于，所述比较所述量测晶圆的电容孔的图像与正常电容孔的图像，判断所述待测蚀刻机台是否存在刻蚀缺陷包括：

当所述量测晶圆的全部或部分电容孔的图像亮度与所述正常电容孔的图像亮度不同时，判断所述待测蚀刻机台存在刻蚀缺陷；当所述量测晶圆的全部电容孔的图像亮度与所述正常电容孔的图像亮度相同时，判断所述待测蚀刻机台不存在刻蚀缺陷。

10.根据权利要求1所述的蚀刻机台的刻蚀缺陷的检测方法，其特征在于，所述第一介质层包括依次形成的第一支撑层、第一绝缘层和第二支撑层，所述第二介质层包括依次形成的第二绝缘层和第三支撑层。

11.根据权利要求10所述的蚀刻机台的刻蚀缺陷的检测方法，其特征在于，在将所述测试晶圆传递至待测蚀刻机台内，刻蚀部分所述第二介质层和部分所述第一介质层，以形成电容孔的步骤之前，还包括；

于所述第三支撑层背离所述衬底的表面沉积掩膜层，所述掩膜层覆盖所述第三支撑层；

于所述掩膜层背离所述衬底的表面形成具有图形的光刻胶层，所述光刻胶层覆盖部分所述掩膜层。

12.根据权利要求11所述的蚀刻机台的刻蚀缺陷的检测方法，其特征在于，所述掩膜层包括依次形成的多晶硅层、氧化物层和碳层。