[发明专利]一种低膨胀硅负极材料

权利要求书

1.一种低膨胀硅负极材料，包括多孔碳、纳米硅、导电碳和离子导体材料，其特征在于，所述多孔碳的孔包括开孔和闭孔；以所述开孔和所述闭孔的总数量为100%计，所述开孔数量占比为80~99.9%。

2.如权利要求1所述的硅负极材料，其特征在于，所述开孔孔径为50~1000nm，其中，以所述开孔总体积为100%计，50~80%体积占比的开孔孔径为200~1000nm。

3.如权利要求1所述的硅负极材料，其特征在于，所述多孔碳的孔隙率为2~95%。

4.如权利要求2所述的硅负极材料，其特征在于，所述纳米硅包覆所述开孔的至少一部分孔壁和所述多孔碳的至少一部分表面；所述导电碳包覆所述纳米硅的至少一部分表面；所述离子导体材料包覆所述导电碳的至少一部分。

5.如权利要求2所述的硅负极材料，其特征在于，所述纳米硅填充在所述开孔孔隙中；所述导电碳包覆所述多孔碳的至少一部分表面；所述离子导体材料包覆所述导电碳的至少一部分。

6.如权利要求5所述的硅负极材料，其特征在于，所述纳米硅的至少一部分表面包覆有导电碳；所述纳米硅中还包含纤维状碳材料，所述纤维状碳材料包括CNT、碳纤维、气相生长碳纤维、支链状碳中的至少一种。

7.如权利要求1所述的硅负极材料，其特征在于，以所述硅负极材料的质量为100%计，所述多孔碳质量占比为5~97.2%；所述硅颗粒质量占比为2~80%；所述导电碳质量占比为0.5~20%； 所述离子导体材料质量占比为0.3~10%。

8.如权利要求1所述的硅负极材料，其特征在于，所述纳米硅的Dv50粒径为1~50nm。

9.如权利要求1所述的硅负极材料，其特征在于，所述纳米硅包括硅单质、氧化硅SiO_x（0＜x＜2）、硅合金中的至少一种；所述导电碳包括硬碳、软碳、炭黑、石墨、碳纤维、气相生长碳纤维、碳纳米管、石墨烯中的至少一种；所述离子导体材料包括氧化铝、二氧化钛、氧化锆、氧化钒、氧化锌、氧化钴、氧化磷、氧化硼、偏磷酸铝、偏磷酸锂、偏铝酸锂、偏磷酸钴、磷酸锂、铝酸锂、氟化锂、氟化铝、氟化铁、氢氧化铝、LISICON型固体电解质、NASICION型固体电解质、钙钛矿型固体电解质、石榴石型固体电解质、硫化物固态电解质、PEO基聚合物电解质中的至少一种。