[发明专利]半导体装置

说明书

实施方式提供一种适当地配置了温度传感器的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：半导体部；设于所述半导体部的背面上的第一电极；设于所述半导体部的表面侧且相互分离的多个第二电极；设于所述半导体部与所述多个第二电极的各个之间的控制电极；覆盖所述半导体部的所述表面侧并具有使所述多个第二电极露出的多个开口的树脂层；以及设于所述半导体部与所述树脂层之间并位于所述半导体部的所述表面的中央的传感器元件。所述树脂层的所述多个开口分别具有至少四个被倒圆的角。所述传感器元件设于所述树脂层的被所述多个开口中的至少三个开口包围的区域与所述半导体部之间。

相关申请

本申请享受以日本专利申请2020－152177号(申请日：2020年9月10日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

实施方式涉及半导体装置。

背景技术

存在在设有晶体管等开关元件的半导体芯片上具有温度传感器的半导体装置。这样的温度传感器优选设置在适合开关元件的布局、能够准确地检测芯片温度的位置。

发明内容

实施方式提供一种适当地配置了温度传感器的半导体装置。

实施方式的半导体装置具备：半导体部；第一电极，设于所述半导体部的背面上；多个第二电极，设于所述半导体部的表面侧且相互分离；控制电极，设于所述半导体部与所述多个第二电极的各个之间；树脂层，覆盖所述半导体部的所述表面侧，并具有使所述多个第二电极露出的多个开口；以及传感器元件，设于所述半导体部与所述树脂层之间，且位于所述半导体部的所述表面的中央。所述控制电极通过第一绝缘膜与所述半导体部电绝缘，通过第二绝缘膜与所述多个第二电极的各个电绝缘。所述半导体部包括：第一导电型的第一半导体层，在所述第一电极与所述多个第二电极之间延伸；第二导电型的第二半导体层，分别设于所述第一半导体层与所述多个第二电极之间；以及第一导电型的第三半导体层，分别设于所述第二半导体层与所述多个第二电极之间。所述多个第二电极分别与所述第二半导体层以及所述第三半导体层电连接。所述树脂层的所述多个开口分别具有至少四个被倒圆的角。所述传感器元件设于所述树脂层的被所述多个开口中的至少三个开口包围的区域与所述半导体部之间。

附图说明

图1的(a)、(b)是表示第一实施方式的半导体装置的示意图。

图2的(a)、(b)是表示第一实施方式的半导体装置的另一示意图。

图3的(a)、(b)是表示第一实施方式的半导体装置的又一示意图。

图4是表示第一实施方式的变形例的半导体装置的示意图。

图5的(a)、(b)是表示第一实施方式的另一变形例的半导体装置的示意图。

图6是表示第一实施方式的又一变形例的半导体装置的示意图。

图7的(a)、(b)是表示第二实施方式的半导体装置的示意图。

图8的(a)、(b)是表示第二实施方式的变形例的半导体装置的示意图。

图9的(a)、(b)是表示第二实施方式的另一变形例的半导体装置的示意图。

图10是表示第二实施方式的又一变形例的半导体装置的示意图。

图11的(a)、(b)是表示第三实施方式的半导体装置的示意图。

图12的(a)、(b)是表示第三实施方式的变形例的半导体装置的示意图。

图13的(a)、(b)是表示第三实施方式的另一变形例的半导体装置的示意图。

图14是表示第三实施方式的又一变形例的半导体装置的示意图。