[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

半导体部；

第一电极，设于所述半导体部的背面上；

多个第二电极，设于所述半导体部的表面侧且相互分离；

控制电极，设于所述半导体部与所述多个第二电极的每一个之间，通过第一绝缘膜与所述半导体部电绝缘，并通过第二绝缘膜与所述多个第二电极的每一个电绝缘；

树脂层，覆盖所述半导体部的所述表面侧，具有使所述多个第二电极露出的多个开口，并且所述多个开口分别具有至少四个被倒圆的角；以及

传感器元件，设于所述半导体部与所述树脂层之间，且位于所述半导体部的所述表面的中央，

所述半导体部包括：第一导电型的第一半导体层，在所述第一电极与所述多个第二电极之间延伸；第二导电型的第二半导体层，分别设于所述第一半导体层与所述多个第二电极之间；以及第一导电型的第三半导体层，分别设于所述第二半导体层与所述多个第二电极之间，

所述多个第二电极分别与所述第二半导体层以及所述第三半导体层电连接，

所述传感器元件设于所述树脂层的被所述多个开口中的至少三个开口包围的区域与所述半导体部之间。

2.如权利要求1所述的半导体装置，

所述树脂层的所述区域被所述多个开口中的三个开口包围，

所述区域具有外缘，该外缘包含所述三个开口中的两个开口的被倒圆的角、以及剩余的一个开口的一边的一部分。

3.如权利要求1所述的半导体装置，

所述树脂层的所述区域被所述多个开口中的四个开口包围，

所述区域具有外缘，该外缘包含所述四个开口的被倒圆的角。

4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，

所述树脂层的所述区域的外缘所包含的开口的角的曲率半径比所述开口的除此以外的角的曲率半径大。

5.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，

所述多个开口的所述被倒圆的角的曲率半径为300微米以上。

6.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，

沿着所述半导体层的所述表面的方向上的所述树脂层的所述多个开口的宽度为600微米以上。

7.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，

所述树脂层的所述多个开口被设置成具有四个所述被倒圆的角的大致方形的形状。