[发明专利]一种充电控制方法、充电控制装置、电子设备及存储介质在审

专利信息
申请号: 202110090113.5 申请日: 2021-01-22
公开(公告)号: CN114825495A 公开(公告)日: 2022-07-29
发明(设计)人: 梁磊;林佳烁;陈伊春 申请(专利权)人: 北京小米移动软件有限公司
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00
代理公司: 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 代理人: 李志新;刘亚平
地址: 100085 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 充电 控制 方法 装置 电子设备 存储 介质
【说明书】:

本公开是关于一种充电控制方法、充电控制装置、电子设备及存储介质。充电控制方法包括:监测终端在充电过程中的温度;响应于所述温度大于温度阈值,控制所述终端以低压直充模式进行充电;响应于所述温度小于或等于温度阈值,控制所述终端以高压充电模式进行充电。通过本公开可以实现在充电过程中产生热量与充电速度的平衡控制。

技术领域

本公开涉及充电控制技术领域,尤其涉及一种充电控制方法、充电控制装置、电子设备及存储介质。

背景技术

随着科学技术的发展,快充技术的应用领域越来越广泛,日常生活中对于充电效率的需求也越来越高。

相关技术中,使用DCDC类、电荷泵类充电芯片对充电器输出的电压进行转换,从而达到较高的充电效率。但随着终端充电效率的提高,终端的发热问题也越来越严重,过热的温度不但会影响充电效率,还会降低用户的使用体验。

发明内容

为克服相关技术中存在的问题,本公开提供一种充电控制方法、充电控制装置、电子设备及存储介质。

根据本公开实施例的第一方面,提供一种充电控制方法,包括:

监测所述终端在充电过程中的温度;响应于所述温度大于温度阈值,控制所述终端以低压直充模式进行充电;响应于所述温度小于或等于温度阈值,控制所述终端以高压充电模式进行充电。

一种实施方式中,所述终端中包括有以高压充电模式进行充电的充电芯片,所述充电芯片中包括有将充电输入的第一电压转换为第二电压的开关控制电路,所述第一电压大于所述第二电压,所述第二电压为所述终端的电池充电电压;所述控制所述充电芯片以低压直充模式进行充电,包括:

控制所述开关控制电路中的开关导通和/或截止,形成第一通路;控制充电输入电压为第二电压,并通过所述第一通路,以充电输入的所述第二电压对所述终端进行充电。

一种实施方式中,所述开关控制电路中包括有上管开关和下管开关;控制所述开关控制电路中的开关导通和/或截止,形成第一通路,包括:控制所述上管开关导通,并控制所述下管开关截止,形成第一通路。

一种实施方式中,所述充电芯片包括电荷泵类充电芯片;所述上管开关包括电容在充电时序和放电时序中的上管开关;所述下管开关包括电容在充电时序和放电时序中的下管开关。

一种实施方式中,所述充电芯片包括直流转直流DCDC类充电芯片,控制所述上管开关导通,并控制所述下管开关截止,形成第一通路,包括:

在所述DCDC类充电芯片中与电池和开关控制电路之间串联的电感处并联开关晶体管;控制所述开关控制电路中的上管开关与并联的所述开关晶体管导通,并控制所述开关控制电路中的下管开关截止,形成第一通路。

一种实施方式中,控制所述终端以低压直充模式进行充电之前,所述充电控制方法还包括:控制所述终端以最大充电电流进行充电。

根据本公开实施例的第二方面,提供一种充电控制装置,包括:

监测单元,用于监测所述终端在充电过程中的温度;控制单元,响应于所述温度大于温度阈值,控制所述终端以低压直充模式进行充电;响应于所述温度小于或等于温度阈值,控制所述终端以高压充电模式进行充电。

一种实施方式中,所述终端中包括有以高压充电模式进行充电的充电芯片,所述充电芯片中包括有将充电输入的第一电压转换为第二电压的开关控制电路,所述第一电压大于所述第二电压,所述第二电压为所述终端的电池充电电压;所述控制单元采用如下方式控制所述充电芯片以低压直充模式进行充电:

控制所述开关控制电路中的开关导通和/或截止,形成第一通路;控制充电输入电压为第二电压,并通过所述第一通路,以充电输入的所述第二电压对所述终端进行充电。

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