[发明专利]MOFs晶体材料及其制备、应用

说明书

本申请公开了一种MOFs晶体材料及其制备、应用。所述MOFs晶体材料具有式Ⅰ所示的化学式：[Ln(TPDB)·2DMF·2H₂O]·X式I；其中，Ln为Gd³⁺、Eu³⁺、Tb³⁺中的至少一种；TPDB^2‑由H₂TPDB的羧酸基团去质子后形成；H₂TPDB为2',5'‑二苯基‑[1,1':4',1”‑三联苯]‑4,4”‑二羧酸；DMF为二甲基甲酰胺；X为NO^3‑、Cl^‑中的至少一种。该MOFs晶体材料，具有高结晶度、高纯度的特点，具有很好的稳定性。所提供的制备方法简便易行。该MOFs晶体材料可作为荧光气压探针，制成MOF荧光压力传感器，根据荧光强弱，方便，直观的观察到气压的变化。

技术领域

本申请涉及一种MOFs晶体材料及其制备、应用，属于晶体材料领域。

背景技术

常规的皮拉尼真空计或者热电偶真空计都需要将检测真空度的信号转化成电信号再输出，具有一定的局限性。因此，需要开发一种新的材料，可以很方便的检测气压的变化。

现有真空计主要分为直接真空计和间接真空计，其中直接真空计：静态液位真空计：利用U型管两端液面差来测量压力，例如麦氏真空计，量程只有0.1-650Pa；弹性元件真空计：利用与真空相连的容器表面受到压力的作用而产生弹性变形来测量压力值的大小，如薄膜电容规，虽然灵敏度很高，但必须在高于环境温度的恒温条件下使用，以消除温度不同对膜片力学性能的影响，使用前一般需要预热数小时。

间接测量计有：热传导真空计，又分皮拉尼真空计或者热电偶真空计，皮拉尼真空计：大气压附近传感量动态范围小，受温度影响而波动。热电偶真空计：热电偶真空计具有受温度影响大、读数时间滞后。热辐射真空计，电离真空计，热阴极电离真空计，需要复杂的装置产生离子电流。放射性电离真空计：放射性元素既需要复杂装置产生高能粒子，也存在潜在的辐射危害。放电管指示器，利用气体放电情况和放电颜色与压力有关的性质判定真空度，一般仅能作为定性测量。

发明内容

根据本申请的第一个方面，提供了一种MOFs晶体材料。该MOFs晶体材料利用聚集诱导发光配体自身的聚集诱导特性，在构建成框架以后，可以利用气压调控框架的晶面间距，从而调控配体相互之间的苯环震动，使得配体在真空态时震动大，荧光弱；而在大气压下震动小，荧光强。

一种MOFs晶体材料，具有式Ⅰ所示的化学式：

[Ln(TPDB)·2DMF·2H₂O]·X

式I

其中，Ln为Gd³⁺、Eu³⁺、Tb³⁺中的至少一种；

TPDB^2-由H₂TPDB的羧酸基团去质子后形成；

H₂TPDB为2',5'-二苯基-[1,1':4',1”-三联苯]-4,4”-二羧酸；

DMF为二甲基甲酰胺；

X为NO₃^-、Cl^-中的至少一种。

优选地，Ln为Gd³⁺和\或Eu³⁺。

优选地，X为NO₃^-。

具体地，H₂TPDB的结构图如下：

本申请中，H₂TPDB可通过现有技术中获得。