[发明专利]MOFs晶体材料及其制备、应用

权利要求书

1.一种MOFs晶体材料，其特征在于，具有式Ⅰ所示的化学式：

[Ln(TPDB)·2DMF·2H₂O]·X

式I

其中，Ln为Gd³⁺、Eu³⁺、Tb³⁺中的至少一种；

TPDB由H₂TPDB的羧酸基团去质子后形成；

H₂TPDB为2',5'-二苯基-[1,1':4',1”-三联苯]-4,4”-二羧酸；

DMF为二甲基甲酰胺；

X为NO₃^-、Cl^-中的至少一种；

所述MOFs晶体材料属于单斜晶系，I2/a空间群；

所述MOFs晶体材料的晶体学数据为：

α＝90°，β＝95.0～95.2°，γ＝90°，Z＝4。

2.根据权利要求1所述的MOFs晶体材料，其特征在于，所述MOFs晶体材料的结构中，Ln离子在该MOF中的配位数是8，其中两个氧来自DMF，两个来自H₂O，四个来自配体TPDB^2-，Ln³⁺通过TPDB^2-配体构建了一个一维的金属链，配体与配体之间通过Ln³⁺形成的金属链，层与层之间以ABAB堆积模式，构筑了一个三维MOF。

3.根据权利要求1所述的MOFs晶体材料，其特征在于，

当Ln为Gd³⁺时，所述MOFs晶体材料的晶体学数据为：

α＝90°，β＝95.04～95.11°，γ＝90°，Z＝4；

当Ln为Eu³⁺时，所述MOFs晶体材料的晶体学数据为：

α＝90°，β＝95.00～95.06°，γ＝90°，Z＝4。

4.根据权利要求1所述的MOFs晶体材料，其特征在于，所述MOFs晶体材料在300℃下，失重不超过15％。

5.根据权利要求1所述的MOFs晶体材料，其特征在于，

当Ln为Gd³⁺时，所述MOFs晶体材料的发射峰为385～395nm；

当Ln为Eu³⁺时，所述MOFs晶体材料的发射峰为609～619nm。

6.一种制备权利要求1至5任一项所述MOFs晶体材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将含有Ln源、H₂TPDB、DMF和水的原料，调节pH为0～2，120～140℃下反应48～120h，得到所述MOFs晶体材料。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，采用强酸调节pH为0～2；

所述强酸选自盐酸、三氟乙酸、硝酸中的至少一种。

8.权利要求1～5任一项所述的MOFs晶体材料、根据权利要求6-7任一项所述的制备方法制备的MOFs晶体材料中的至少一种作为荧光气压压强探针的应用。

9.权利要求1～5任一项所述的MOFs晶体材料、根据权利要求6-7任一项所述的制备方法制备的MOFs晶体材料中的至少一种在压力传感器中的应用。