[发明专利]使用半导体发光元件的显示装置及其制造方法有效
| 申请号: | 202110086963.8 | 申请日: | 2021-01-22 |
| 公开(公告)号: | CN113380848B | 公开(公告)日: | 2023-08-04 |
| 发明(设计)人: | 金修顕;崔元硕;朴成敏 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L25/075;H01L33/62;H01L33/00 |
| 代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 崔炳哲 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 使用 半导体 发光 元件 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种显示装置,其特征在于,包括:
基底部;
复数个晶体管,配置在所述基底部上;
复数个半导体发光元件,配置在所述基底部上;
复数个配线电极,配置在所述基底部上,与复数个所述晶体管和复数个所述半导体发光元件电连接;
分隔壁,配置在所述基底部上,且形成为覆盖复数个所述晶体管;以及
连接电极,连接复数个所述晶体管中的一部分晶体管和复数个所述配线电极中的一部分配线电极,
所述连接电极形成为贯通所述分隔壁,
复数个所述配线电极包括VDD电极和VData电极,
所述分隔壁设置有以贯通所述分隔壁的方式形成的复数个槽,
所述VDD电极和所述VData电极包括分别形成为凸出到所述槽中的第一凸出部和第二凸出部,
所述半导体发光元件被设置为与所述第一凸出部和所述第二凸出部两者重叠。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
所述一部分晶体管和所述一部分配线电极分别配置在所述分隔壁朝向所述基底部的面上。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,
所述连接电极的一部分配置在所述分隔壁背离所述基底部的面上。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其特征在于,
所述分隔壁设置有以贯通所述分隔壁的方式形成的复数个通孔,
所述连接电极的一部分配置在所述通孔内。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其特征在于,
所述通孔包括:
第一通孔,形成为与所述一部分晶体管重叠;以及
第二通孔,形成为与所述一部分配线电极重叠。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其特征在于,
所述连接电极包括:
第一连接电极,配置在所述第一通孔内;
第二连接电极,配置在所述第二通孔内;以及
第三连接电极,配置在所述分隔壁背离所述基底部的面上,电连接所述第一连接电极和所述第二连接电极。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
还包括形成在所述一部分配线电极和所述半导体发光元件之间的介电层,以使所述一部分配线电极和所述半导体发光元件保持绝缘状态。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其特征在于,
所述连接电极形成为贯通所述分隔壁和所述介电层。
9.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
与所述一部分配线电极平行配置的其他配线电极设置有以朝向所述槽凸出的方式形成的凸出部。
10.一种显示装置的制造方法,其特征在于,包括:
在基底部上形成复数个晶体管和复数个配线电极的步骤;
形成介电层以覆盖复数个所述晶体管和复数个所述配线电极的步骤;
在所述介电层上形成设置有复数个槽的分隔壁的步骤;
在向复数个所述配线电极中的一部分配线电极施加电压的状态下,使半导体发光元件安置在复数个所述槽中的每一个槽的步骤;以及
形成将复数个所述晶体管中的一部分晶体管和复数个所述配线电极中的一部分配线电极电连接的连接电极的步骤,
所述一部分晶体管和所述一部分配线电极分别形成在所述分隔壁朝向所述基底部的面上,
所述连接电极的一部分形成在所述分隔壁背离所述基底部的面上,
复数个所述配线电极包括VDD电极和VData电极,
所述VDD电极和所述VData电极产生用于将复数个所述半导体发光元件组装到所述基底部上的组装力,
所述分隔壁设置有以贯通所述分隔壁的方式形成的复数个槽,
所述VDD电极和所述VData电极包括分别形成为凸出到所述槽中的第一凸出部和第二凸出部,
所述半导体发光元件被设置为与所述第一凸出部和所述第二凸出部两者重叠。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





