[发明专利]使用半导体发光元件的显示装置及其制造方法有效
| 申请号: | 202110086963.8 | 申请日: | 2021-01-22 |
| 公开(公告)号: | CN113380848B | 公开(公告)日: | 2023-08-04 |
| 发明(设计)人: | 金修顕;崔元硕;朴成敏 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L25/075;H01L33/62;H01L33/00 |
| 代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 崔炳哲 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 使用 半导体 发光 元件 显示装置 及其 制造 方法 | ||
本发明涉及使用半导体发光元件的显示装置及其制造方法,尤其,涉及一种使用几μm至几十μm尺寸的半导体发光元件的显示装置及其制造方法。本发明提供一种显示装置,其特征在于,包括:基底部;复数个晶体管,配置在所述基底部上;复数个半导体发光元件,配置在所述基底部上;复数个配线电极,配置在所述基底部上,与复数个所述晶体管和所述半导体发光元件电连接;分隔壁,配置在所述基底部上,且形成为覆盖复数个所述晶体管;以及连接电极,连接复数个所述晶体管中的一部分晶体管和复数个所述配线电极中的一部分配线电极,所述连接电极形成为贯通所述分隔壁。
技术领域
本发明涉及显示装置及其制造方法,尤其,涉及一种使用几μm至几十μm尺寸的半导体发光元件的显示装置及其制造方法。
背景技术
近年来,液晶显示器(LCD)、有机发光元件(OLED)显示器以及微LED(发光二极管)显示器等一直争相在显示器的技术领域实现大面积显示器。
另一方面,若在显示器中使用具有100微米以下的直径或截面积的半导体发光元件(微LED(uLED)),则由于在显示器中不使用偏光板等吸收光,因此能够提供非常高的效率。然而,大型显示器中需要几百万个半导体发光元件,因此与其他技术相比,具有难以转移元件的缺点。
作为转移工序(transfer processes),目前正在开发着的技术包括拾取和放置(pickplace)、激光剥离法(Laser Lift-off,LLO)或自组装等。其中,自组装方法是半导体发光元件在流体中自主地寻找位置的方法,其是对大屏幕显示装置的实现最有利的方法。
近年来,美国授权专利第9,825,202号中公开了适用于自组装的微LED结构,但是对于通过微LED的自组装来制造显示器的技术实际上仍然缺乏足够的研究。因此,本发明提出了一种微LED能够被自组装的新型的制造方法和制造装置。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种在使用微米尺寸的半导体发光元件的大屏幕显示器中具有高可靠性的新的制造工序。
本发明的另一目的在于,提供一种在将半导体发光元件自组装到组装基板时能够提高转移精度的制造工序。
本发明的又一目的在于,提供一种仅依靠配线电极就能够执行自组装而无需设有用于自组装的额外的组装电极的结构和方法。
为了实现上述的目的,本发明提供一种显示装置,其特征在于,包括:基底部;复数个晶体管,配置在所述基底部上;复数个半导体发光元件,配置在所述基底部上;复数个配线电极,配置在所述基底部上,与复数个所述晶体管和所述半导体发光元件电连接;分隔壁,配置在所述基底部上,且形成为覆盖复数个所述晶体管;以及连接电极,连接复数个所述晶体管中的一部分晶体管和复数个所述配线电极中的一部分配线电极,所述连接电极形成为贯通所述分隔壁。
在一实施例中,所述一部分晶体管和所述一部分配线电极可以分别配置在所述分隔壁的两个面中的朝向所述基底部的一个面上。
在一实施例中,所述连接电极的一部分可以配置在所述分隔壁的两个面中的另一个面上。
在一实施例中,所述分隔壁设置有以贯通所述分隔壁的方式形成的复数个通孔,所述连接电极的一部分可以配置在所述通孔内。
在一实施例中,所述通孔可以包括:第一通孔,形成为与所述一部分晶体管重叠;以及第二通孔,形成为与所述一部分配线电极重叠。
在一实施例中,所述连接电极可以包括:第一连接电极,配置在所述第一通孔内;第二连接电极,配置在所述第二通孔内;以及第三连接电极,配置在所述分隔壁的另一个面上,电连接所述第一连接电极和所述第二连接电极。
在一实施例中,所述分隔壁设置有以贯通所述分隔壁的方式形成的复数个槽,复数个所述半导体发光元件可以配置在所述槽的内部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





