[发明专利]一种用于5G微基站的新型低介电损耗的LTCC陶瓷材料

权利要求书

1.一种用于5G微基站的新型低介电损耗的LTCC陶瓷材料，其特征在于，包括按质量百分比计：

5％～7％的BaO；

4％～8％的B2O3；

6％～8％的ZnO；

0～0.4％的MgO；

70-85％的ZnSiO3；

0-0.2％的Na2O+K2O+Li2O。

2.根据权利要求1所述的一种用于5G微基站的新型低介电损耗的LTCC陶瓷材料，其特征在于，BaO、B2O3、ZnO、MgO和ZnSiO3的混料包括以下步骤：

①、通过砂磨机在40-50℃条件下，以有机物作为溶剂，研磨1-5h，研磨完成后经常温烘干后制得粉状物；

②、添加MgO，混合均匀后经研磨机第二次研磨，研磨温度控制在50℃以下，研磨时隔绝氧气，研磨后以氩气为保护气氛，烘干制得块状物；

③、对块状物进行烧结，烧结温度为800-900℃，水淬后烘干制得成品。

3.根据权利要求2所述的一种用于5G微基站的新型低介电损耗的LTCC陶瓷材料，其特征在于，所述步骤③中，烧结室的温度为恒温，烧结时间为20-50min。

4.根据权利要求2所述的一种用于5G微基站的新型低介电损耗的LTCC陶瓷材料，其特征在于，所述的有机物为酒精。

5.根据权利要求2所述的一种用于5G微基站的新型低介电损耗的LTCC陶瓷材料，其特征在于，水淬时采用去离子水。