[发明专利]半导体封装装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202110085896.8 | 申请日： | 2021-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN112992803A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 刘旭唐;蔡宗唐;王铭汉 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/498;H01L23/18;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京植德律师事务所 11780 | 代理人： | 唐华东 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体封装装置，包括：第一芯片、重布线层和缓冲层；
所述第一芯片通过导电凸块固定设置在所述重布线层上；
所述缓冲层设置于所述第一芯片和所述重布线层之间，所述缓冲层的材料的杨氏系数小于底部填充胶材料的杨氏系数。
2.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述缓冲层设置于所述第一芯片的朝向所述重布线层的表面。
3.根据权利要求2所述的半导体封装装置，其中，所述缓冲层至少部分包覆所述第一芯片的侧面。
4.根据权利要求2所述的半导体封装装置，其中，所述缓冲层位于所述第一芯片的朝向所述重布线层的表面，所述导电凸块部分位于所述缓冲层内。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的半导体封装装置，其中，所述缓冲层和所述重布线层之间设置有底部填充胶。
6.根据权利要求1-4中任一项所述的半导体封装装置，其中，所述半导体封装装置还包括第二芯片，所述第二芯片固定设置在所述重布线层上并位于所述第一芯片的同侧。
7.根据权利要求6所述的半导体封装装置，其中，所述第二芯片的侧面及主动表面设置有缓冲结构，所述缓冲结构与所述缓冲层的材料相同。
8.一种半导体封装装置的制造方法，包括：
将第一芯片放置于重布线层上；
通过回流焊方法，使所述第一芯片的导电凸块与所述重布线层固定连接；
通过旋转镀膜方法，在所述第一芯片和所述重布线层之间填充缓冲材料；
通过加热使所述缓冲材料固化形成缓冲层，以得到半导体封装装置，其中，所述缓冲层的材料的杨氏系数小于底部填充胶材料的杨氏系数。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述方法还包括：
将第二芯片放置于所述重布线层上，并与所述第一芯片位于同侧；
通过所述回流焊方法，使所述第二芯片的导电凸块与所述重布线层固定连接；
通过所述旋转镀膜方法，在所述第二芯片和所述重布线层之间填充所述缓冲材料。
10.一种半导体封装装置的制造方法，包括：
将第一芯片具有导电凸块的表面设置缓冲材料，得到缓冲层；
通过回流焊方法，使所述第一芯片的导电凸块与重布线层固定连接；
在所述第一芯片和所述重布线层之间填充底部填充材料，以得到半导体封装装置。
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