[发明专利]一种光刻胶层的形貌检测方法及系统

说明书

本发明提供了一种光刻胶层的形貌检测方法及系统，包括：提供待测样品，所述待测样品包括衬底基板及位于所述衬底基板一侧上的光刻胶层，所述光刻胶层包括待检测区；对所述光刻胶层的待检测区进行冷脆处理；沿裂片线对所述待测样品进行裂片，裸露所述光刻胶层在所述待测区的截面，其中，所述待检测区位于所述裂片线的延伸路径上；对所述光刻胶层在所述待测区的截面进行形貌检测。由上述内容可知，本发明提供的技术方案，在对待测样品进行裂片前，对光刻胶层的待检测区进行了冷脆处理，进而能够降低光刻胶层的待检测区处的截面在裂片时发生形变的情况，保证对光刻胶层在待检测区的截面处形貌检测的准确性高。

技术领域

本发明涉及形貌检测技术领域，更为具体地说，涉及一种光刻胶层的形貌检测方法及系统。

背景技术

光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一，特别是近年来大规模和超大规模集成电路的发展，更是大大促进了光刻胶的研究开发和应用。光刻胶是一种有机化合物，它被紫外光曝光后，在显影溶液中的溶解度会发生变化。在对光刻胶层进行评估时，一定会评估光刻胶层曝光显影后的形貌，尤其是光刻胶层截面的形貌；但是，光刻胶是由高分子材料组成且质地较软，在采用高温切割时容易造成光刻胶的收缩，或者，采用刀具裂片时容易发生形变而破坏光刻胶原有的形貌，进而使得对光刻胶层的截面形貌检测的准确性造成干扰。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种光刻胶层的形貌检测方法及系统，有效地解决了现有技术存在的技术问题，降低光刻胶层的待检测区在裂片时发生形变的情况，保证对光刻胶层在待检测区的截面处形貌检测的准确性高。

为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：

一种光刻胶层的形貌检测方法，包括：

提供待测样品，所述待测样品包括衬底基板及位于所述衬底基板一侧上的光刻胶层，所述光刻胶层包括待检测区；

对所述光刻胶层的待检测区进行冷脆处理；

沿裂片线对所述待测样品进行裂片，裸露所述光刻胶层在所述待测区的截面，其中，所述待检测区位于所述裂片线的延伸路径上；

对所述光刻胶层在所述待测区的截面进行形貌检测。

可选的，对所述光刻胶层的待检测区进行冷脆处理的同时，对所述光刻胶层沿所述裂片线的延伸路径相应区域进行冷脆处理。

可选的，对所述光刻胶层的待检测区进行冷脆处理，包括：

采用液态氮对所述光刻胶层的待检测区进行冷脆处理。

可选的，沿裂片线对所述待测样品进行裂片，包括：

采用聚焦离子束或裂片刀具，沿裂片线对所述待测样品进行裂片。

可选的，对所述光刻胶层在所述待测区的截面进行形貌检测，包括：

采用电子显微镜对所述光刻胶层在所述待测区的截面进行形貌检测。

相应的，本发明还提供了一种光刻胶层的形貌检测系统，包括：

样品放置装置，所述样品放置装置用于放置待测样品，所述待测样品包括衬底基板及位于所述衬底基板一侧上的光刻胶层，所述光刻胶层包括待检测区；

冷脆装置，所述冷脆装置用于对所述光刻胶层的待检测区进行冷脆处理；

裂片装置，所述裂片装置用于沿裂片线对所述待测样品进行裂片，裸露所述光刻胶层在所述待测区的截面，其中，所述待检测区位于所述裂片线的延伸路径上；

以及，形貌检测装置，所述形貌检测装置用于对所述光刻胶层在所述待测区的截面进行形貌检测。