[发明专利]一种光刻胶层的形貌检测方法及系统有效
| 申请号： | 202110083384.8 | 申请日： | 2021-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN112925172B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 陈庆煌;柯思羽;武松;刘志成 | 申请（专利权）人： | 泉芯集成电路制造（济南）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆宗力 |
| 地址： | 250101 山东省济南市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 形貌 检测 方法 系统 | ||
1.一种光刻胶层的形貌检测方法，其特征在于，包括：
提供待测样品，所述待测样品包括衬底基板及位于所述衬底基板一侧上的光刻胶层，所述光刻胶层包括待检测区；
对所述光刻胶层的待检测区进行冷脆处理；
沿裂片线对所述待测样品进行裂片，裸露所述光刻胶层在所述待测区的截面，其中，所述待检测区位于所述裂片线的延伸路径上；
对所述光刻胶层在所述待测区的截面进行形貌检测。
2.根据权利要求1所述的光刻胶层的形貌检测方法，其特征在于，对所述光刻胶层的待检测区进行冷脆处理的同时，对所述光刻胶层沿所述裂片线的延伸路径相应区域进行冷脆处理。
3.根据权利要求1所述的光刻胶层的形貌检测方法，其特征在于，对所述光刻胶层的待检测区进行冷脆处理，包括：
采用液态氮对所述光刻胶层的待检测区进行冷脆处理。
4.根据权利要求1所述的光刻胶层的形貌检测方法，其特征在于，沿裂片线对所述待测样品进行裂片，包括：
采用聚焦离子束或裂片刀具，沿裂片线对所述待测样品进行裂片。
5.根据权利要求1所述的光刻胶层的形貌检测方法，其特征在于，对所述光刻胶层在所述待测区的截面进行形貌检测，包括：
采用电子显微镜对所述光刻胶层在所述待测区的截面进行形貌检测。
6.一种光刻胶层的形貌检测系统，其特征在于，包括：
样品放置装置，所述样品放置装置用于放置待测样品，所述待测样品包括衬底基板及位于所述衬底基板一侧上的光刻胶层，所述光刻胶层包括待检测区；
冷脆装置，所述冷脆装置用于对所述光刻胶层的待检测区进行冷脆处理；
裂片装置，所述裂片装置用于沿裂片线对所述待测样品进行裂片，裸露所述光刻胶层在所述待测区的截面，其中，所述待检测区位于所述裂片线的延伸路径上；
以及，形貌检测装置，所述形貌检测装置用于对所述光刻胶层在所述待测区的截面进行形貌检测。
7.根据权利要求6所述的光刻胶层的形貌检测系统，其特征在于，所述冷脆装置用于对所述光刻胶层的待检测区进行冷脆处理的同时，对所述光刻胶层沿所述裂片线的延伸路径相应区域进行冷脆处理。
8.根据权利要求6所述的光刻胶层的形貌检测系统，其特征在于，所述冷脆装置为液态氮装置。
9.根据权利要求6所述的光刻胶层的形貌检测系统，其特征在于，所述裂片装置为聚焦离子束产生装置或裂片刀具。
10.根据权利要求1所述的光刻胶层的形貌检测方法，其特征在于，所述形貌检测装置为电子显微镜。
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