[发明专利]半导体装置与其形成方法在审
| 申请号： | 202110080777.3 | 申请日： | 2021-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN113113362A | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 陈宜群;蔡雅怡;杨宜伟;古淑瑗;陈嘉仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 与其 形成 方法 | ||
1.一种半导体装置的形成方法，包括：
形成一鳍状物于一半导体基板上；
形成一金属栅极于该鳍状物上；
蚀刻该金属栅极以形成一沟槽穿过该金属栅极至该半导体基板中；以及
沉积一介电材料于该沟槽中，其中该介电材料延伸至该半导体基板中的一n型装置与一p型装置之间的界面。
2.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中蚀刻该金属栅极至半导体基板的步骤形成多个凹陷于该半导体基板中。
3.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中蚀刻该金属栅极的步骤还包括进行一系列沉积-蚀刻工艺。
4.如权利要求3所述的半导体装置的形成方法，其中一系列沉积-蚀刻工艺包括在一蚀刻工艺之前沉积一介电侧壁衬垫层。
5.一种半导体装置的形成方法，包括：
图案化一半导体基板以形成一隔离区与一鳍状物于一半导体基板中；
形成一金属栅极堆叠于该鳍状物与该隔离区上；
进行多个蚀刻循环移除该金属栅极堆叠、该隔离区与该半导体基板的部分，以形成一开口穿过该金属栅极堆叠与该隔离区至该半导体基板中，且多个所述蚀刻循环分开该金属栅极堆叠的一第一部分与一第二部分；以及
沉积一介电材料以填入该开口。
6.如权利要求5所述的半导体装置的形成方法，其中多个所述蚀刻循环还包括：
沉积一衬垫层；以及
蚀穿该衬垫层的一部分。
7.如权利要求6所述的半导体装置的形成方法，其中多个所述蚀刻循环还包括在蚀穿该衬垫层的该部分之后延伸该开口。
8.一种半导体装置，包括：
一n型装置的一第一栅极，位于一半导体基板的一第一鳍状物上；
一p型装置的一第二栅极，位于该半导体基板的一第二鳍状物上；以及
一切割金属栅极插塞，分开该第一栅极与该第二栅极，其中该切割金属栅极插塞延伸至该半导体基板中的该n型装置与该p型装置之间的一界面。
9.如权利要求8所述的半导体装置，还包括一隔离区于该第一鳍状物与该第二鳍状物之间，且该切割金属栅极插塞延伸穿过该隔离区。
10.如权利要求8所述的半导体装置，其中该n型装置的一源极/漏极接点结构形成于该切割金属栅极插塞上。
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