[发明专利]正交分频电路及其工作方法、CMOS结构的锁存器在审

专利信息
申请号: 202110078719.7 申请日: 2021-01-20
公开(公告)号: CN114866074A 公开(公告)日: 2022-08-05
发明(设计)人: 唐进涛;陈廷乾 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: H03K5/15 分类号: H03K5/15
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 徐文欣
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 正交 分频 电路 及其 工作 方法 cmos 结构 锁存器
【说明书】:

一种正交分频电路及其工作方法、CMOS结构的锁存器,其中,正交分频电路包括:第一锁存器和第二锁存器,所述第一锁存器和第二锁存器均包括第一伪反相锁存器、第二伪反相锁存器和双稳态电路,所述第一伪反相锁存器包括第一PMOS晶体管、第一CMOS晶体管和第一NMOS晶体管,所述第二伪反相锁存器包括第二PMOS晶体管、第二CMOS晶体管和第二NMOS晶体管。由于所述第一锁存器和第二锁存器均包括CMOS结构,因此,能够使所述正交分频电路集成度高、在工作中的耗电小、成本低。

技术领域

发明涉及集成电路领域,尤其涉及一种正交分频电路及其工作方法、CMOS结构的锁存器。

背景技术

正交四相分频电路被广泛的应用于高速串行电路中,相比采用差分时钟的结构,使用正交四相分频电路的结构具有更高的能效比。

在现有的正交分频电路中,通常采用2个电流模式逻辑锁存器(Current ModeLogic latch,下称CML锁存器),以实现正交4相分频的功能。

然而,当正交分频电路工作时,由于在CML锁存器的电路中,电源电压端和接地端导通,因此,正交分频电路的电流较大、耗电也大。同时,由于高频工作环境下,对CML锁存器的电路中电阻的限制较大,即,需要采用阻值很小的电阻,导致所述电阻在集成电路中占用面积较大,造成正交分频电路的集成度差。不仅如此,由于CML锁存器的电路中,需要使用电流镜、电阻较等器件,因此,一方面,电流镜的器件占用面积较大,造成正交分频电路的集成度差,另一方面,使用电流镜、电阻等器件也会造成正交分频电路的成本高。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种正交分频电路及其工作方法、CMOS结构的锁存器,以使正交分频电路集成度高、在工作中的耗电小、成本低。

为解决上述技术问题,本发明的技术方案提供一种正交分频电路,包括:第一锁存器,所述第一锁存器具有第一输入端、第二输入端、第一输出端、第二输出端、以及第一时钟端和第二时钟端,所述第一时钟端和第二时钟端用于输入反相的时钟信号;第二锁存器,所述第二锁存器具有第三输入端、第四输入端、第三输出端、第四输出端、以及第三时钟端和第四时钟端,所述第三时钟端和第四时钟端用于输入反相的时钟信号,且向所述第一时钟端和第三时钟端输入的时钟信号反相;所述第一锁存器和第二锁存器均包括第一伪反相锁存器、第二伪反相锁存器和双稳态电路,所述第一伪反相锁存器包括第一PMOS晶体管、第一CMOS晶体管和第一NMOS晶体管,所述第二伪反相锁存器包括第二PMOS晶体管、第二CMOS晶体管和第二NMOS晶体管,其中,所述第一CMOS晶体管的漏端连接第一PMOS晶体管,所述第一CMOS晶体管的源端连接连接第一NMOS晶体管,所述第二CMOS晶体管的漏端连接第二PMOS晶体管,所述第二CMOS晶体管的源端连接第二NMOS晶体管,所述双稳态电路的两端分别与第一CMOS晶体管的输出端以及第二CMOS晶体管的输出端连接,并且,在所述第一锁存器的电路中,双稳态电路的两端还分别与第一输出端及第二输出端耦合,在所述第二锁存器的电路中,双稳态电路的两端还分别与第三输出端及第四输出端耦合;与所述第一输入端和第四输出端连接的第一信号节点;与所述第二输入端和第三输出端连接的第二信号节点;与所述第一输出端和第三输入端连接的第三信号节点;与所述第二输出端和第四输入端连接的第四信号节点。

可选的,在所述第一锁存器的电路中,第一CMOS晶体管的漏端通过第一PMOS晶体管与第一时钟端耦合,第一CMOS晶体管的源端通过第一NMOS晶体管与第二时钟端耦合,第一CMOS晶体管的输入端与第一输入端耦合,第一CMOS晶体管的输出端与第一输出端耦合,第二CMOS晶体管的漏端通过第二PMOS晶体管与第一时钟端耦合,第二CMOS晶体管的源端通过第二NMOS晶体管与第二时钟端耦合,第二CMOS晶体管的输入端与第二输入端耦合,第二CMOS晶体管的输出端与第二输出端耦合。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110078719.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top