[发明专利]封装结构及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202110078416.5 申请日: 2021-01-20
公开(公告)号: CN114566487A 公开(公告)日: 2022-05-31
发明(设计)人: 张简上煜;林南君;徐宏欣 申请(专利权)人: 力成科技股份有限公司
主分类号: H01L23/552 分类号: H01L23/552;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/482;H01L23/485
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 宋兴;刘芳
地址: 中国台湾新竹县*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 封装 结构 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种封装结构,其特征在于,包括:

导电件;

多个芯片,配置于所述导电件上且部分的所述导电件围绕所述多个芯片;

介电体,包覆所述多个芯片;

线路层,位于所述介电体上且电连接所述多个芯片;以及

图案化绝缘层,覆盖所述线路层,且部分的所述图案化绝缘层位于相邻的所述多个芯片之间。

2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,其中所述多个芯片包括衬底、芯片连接垫以及芯片保护层,所述芯片连接垫位于所述衬底上,所述芯片保护层覆盖所述衬底且暴露出部分的所述芯片连接垫,所述线路层贯穿部分的所述介电体以直接接触所述芯片连接垫。

3.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,其中部分的所述导电件包括围绕各个所述多个芯片的第二导电部分,且所述图案化绝缘层围绕所述第二导电部分。

4.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,其中所述线路层包括第一线路及第二线路,所述多个芯片包括第一芯片及第二芯片,第一线路电连接于所述第一芯片,第二线路电连接于所述第二芯片,且所述第一芯片与所述第二芯片彼此信号分离。

5.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,其中所述介电体包括相邻且彼此分离的第一介电部分及第二介电部分,且部分的导电件及部分的图案化绝缘层位于所述第一介电部分及所述第二介电部分之间。

6.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,其中所述导电件的侧壁及所述图案化绝缘层的侧壁基本上齐平。

7.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,其中所述图案化绝缘层与所述介电体相接触,且所述图案化绝缘层及所述介电体之间具有界面。

8.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,其中所述图案化绝缘层的最大厚度大于所述介电体的最大厚度。

9.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,其中:

所述介电体具有介电顶面、介电底面及介电侧面,所述介电底面相对于所述介电顶面,所述介电侧面连接所述介电顶面及所述介电底面;

所述线路层位于所述介电体的所述介电顶面上;

所述导电件包括第一导电部分及第二导电部分,所述介电体位于所述第一导电部分上,所述第二导电部分至少覆盖所述介电侧面;且

所述导电件的所述第二导电部分与所述线路层为相同的膜层。

10.一种封装结构的制造方法,其特征在于,包括:

配置多个芯片于基板上;

形成介电材于所述基板上以覆盖所述多个芯片;

至少经由移除部分的所述介电材,以形成包覆所述多个芯片的介电体;

形成图案化导电层于所述介电体上,且部分的图案化导电层电连接所述多个芯片;以及

形成图案化绝缘层以覆盖所述图案化导电层,且部分的所述图案化绝缘层位于相邻的所述多个芯片之间。

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