[发明专利]基于量子点色转换层的MicroLED显示器件及其制备方法有效
申请号: | 202110077760.2 | 申请日: | 2021-01-20 |
公开(公告)号: | CN112635515B | 公开(公告)日: | 2022-08-16 |
发明(设计)人: | 陶金;赵永周;李阳;梁静秋;秦余欣;吕金光;王惟彪;李盼园;樊凯莉 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/50 |
代理公司: | 长春中科长光知识产权代理事务所(普通合伙) 22218 | 代理人: | 高一明;郭婷 |
地址: | 130033 吉林省长春*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 量子 转换 microled 显示 器件 及其 制备 方法 | ||
本发明提供一种基于量子点色转换层的MicroLED显示器件及其制备方法,其中的MicroLED显示器件包括MicroLED阵列、与MicroLED阵列键合的量子点色转换层,量子点色转换层包括相键合的微流道透明基底层和微流道倒模层,微流道倒模层包括至少一个像素点,像素点包括至少一组用于注入量子点溶液的量子点位、用于实现量子点溶液流入的进液孔和用于实现量子点溶液流出的出液孔,像素点中各量子点位的入口与出口分别通过互不交叉的微流道与对应的进液孔和出液孔相连通,在每组量子点位内注入有量子点溶液,其在光固化后形成用于实现颜色转换的量子点。量子点色转换层的量子点中不掺杂光刻剂,不会使量子点退化,因此不会降低量子点的转换效率,不造成量子点的大量浪费。
技术领域
本发明涉及MicroLED显示技术领域,特别涉及一种基于量子点色转换层的MicroLED显示器件及其制备方法。
背景技术
MicroLED阵列通常指在单片上集成高密度的像素发光单元所组成的二维阵列。通常单颗MicroLED的尺寸小于100μm。单色MicroLED阵列与色转换层集成是实现MicroLED全彩显示的一种较为便捷、可行的方法。单色的MicroLED阵列上可键合不同颜色的量子点色转化层,将每个MicroLED 的发光转化为不同的颜色,形成MicroLED阵列的全彩色显示。
目前,制备量子点色转换层的技术主要有喷墨打印和光刻胶掺杂图形化两种方案。喷墨打印技术受设备精度限制,喷墨打印具有均匀性难以控制且易出现“咖啡环效应”的特点,且在图形小于20μm以下时难以实现;而光刻胶掺杂图形化技术虽然可以实现10μm以下小尺寸像素点的制备,但是掺杂的光刻机容易使量子点退化,降低其转化效率,另外该方法造成大量的量子点浪费。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基于量子点色转换层的MicroLED显示器件及其制备方法,该方法工艺简单、操作简便、成本低,可制备出小尺寸像素的量子点色转换层,从而实现小尺寸MicroLED显示器件的制备。
为实现上述目的,本发明采用以下具体技术方案:
本发明提供一种基于量子点色转换层的MicroLED显示器件,包括 MicroLED阵列、与MicroLED阵列键合的量子点色转换层,量子点色转换层包括相键合的微流道透明基底层和微流道倒模层,微流道倒模层包括至少一个像素点,像素点包括至少一组用于注入量子点溶液的量子点位、用于实现量子点溶液流入的进液孔和用于实现量子点溶液流出的出液孔,像素点中各量子点位的入口与出口分别通过互不交叉的微流道与对应的进液孔和出液孔相连通,在每组量子点位内注入有量子点溶液,其在光固化后形成用于实现颜色转换的量子点。
优选地,当像素点为一个时,各组量子点位的入口与出口分别通过一条微流道与对应的进液孔和出液孔相连通。
优选地,当像素点为至少两个时,各个像素点中转换为相同颜色的量子点位的入口与出口按照注液顺序依次通过微流道连通,且首个注液的量子点位通过微流道与对应的进液孔连通,最后注液的量子点位通过微流道与对应的出液孔连通,或者每个像素点中的各组量子点位的入口与出口分别通过一条微流道与对应的进液孔和出液孔相连通。
优选地,每个像素点分别包括两组量子点位,分别为红光量子点位和绿光量子点位。
优选地,每个像素点中,按照红光量子点位、绿光量子点位的顺序逐行排列,或者相邻的两个像素点中,一个像素点按照红光量子点位、绿光量子点位的顺序逐行排列,另一个像素点按照绿光量子点位、红光量子点位的顺序逐行排列。
优选地,微流道透明基底层键合于微流道倒模层的上侧或下侧,微流道透明基底层为玻璃、石英、PMMA、聚合物、PI、PET、PVA、PEN或PDMS。
优选地,在微流道倒模层上或在微流道透明基底层上对应于两组量子点位之间的位置制备有光隔离结构。
优选地,在光隔离结构的上侧或下侧贴附有滤光膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的