[发明专利]半导体封装结构及半导体封装方法在审

专利信息
申请号: 202110076060.1 申请日: 2021-01-20
公开(公告)号: CN114864526A 公开(公告)日: 2022-08-05
发明(设计)人: 谢雷;涂旭峰 申请(专利权)人: 矽磐微电子(重庆)有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60
代理公司: 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 代理人: 张相钦
地址: 401331 重*** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 结构 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体封装结构,其特征在于,包括:

裸片,包括相反的裸片正面和裸片背面以及连接所述裸片正面和所述裸片背面的裸片侧面,所述裸片的裸片正面设有焊垫;

第一包封层,至少覆盖所述裸片的裸片侧面;

再布线层,设于所述裸片的裸片正面,并与所述裸片的焊垫电连接,所述再布线层包括相反的第一表面和第二表面以及连接所述第一表面和所述第二表面的布线侧面,所述第一表面面向所述裸片,所述第二表面背向所述裸片,所述布线侧面形成第一电路引出端。

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,所述半导体封装结构还包括:

导电凸柱,设于所述第二表面,所述导电凸柱远离所述再布线层的表面形成第二电路引出端。

3.根据权利要求2所述的半导体封装结构,其特征在于,所述半导体封装结构还包括第一焊料层和/或第二焊料层,所述第一焊料层电连接于所述第一电路引出端,且在平行于所述再布线层的方向上所述第一焊料层的至少部分区域位于所述第一包封层的边界外;所述第二焊料层电连接于所述第二电路引出端。

4.根据权利要求3所述的半导体封装结构,其特征在于,所述半导体封装结构还包括:

第二包封层,覆盖所述再布线层和所述第一包封层,且围绕所述导电凸柱,所述第二焊料层的至少部分区域伸出所述第二包封层。

5.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,所述半导体封装结构还包括:

第二包封层,覆盖所述再布线层和所述第一包封层。

6.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,所述裸片的裸片正面设有保护层,所述保护层对应于所述焊垫的区域设有通孔,所述再布线层设于所述保护层背向所述裸片的一侧,且填充所述通孔。

7.一种半导体封装方法,其特征在于,包括:

提供裸片,所述裸片包括相反的裸片正面和裸片背面以及连接所述裸片正面和所述裸片背面的裸片侧面,所述裸片的裸片正面设有焊垫;

形成第一包封层,所述第一包封层至少覆盖所述裸片的裸片侧面;

在所述裸片的裸片正面形成再布线层,所述再布线层与所述裸片的焊垫电连接,且包括相反的第一表面和第二表面以及连接所述第一表面和所述第二表面的布线侧面,所述第一表面面向所述裸片,所述第二表面背向所述裸片,所述布线侧面形成第一电路引出端。

8.根据权利要求7所述的半导体封装方法,其特征在于,所述半导体封装方法还包括:

在所述第二表面形成导电凸柱,所述导电凸柱远离所述再布线层的表面形成第二电路引出端。

9.根据权利要求8所述的半导体封装方法,其特征在于,所述半导体封装方法还包括:

形成第一焊料层和/或第二焊料层,所述第一焊料层电连接于所述第一电路引出端,且在平行于所述再布线层的方向上所述第一焊料层的至少部分区域位于所述第一包封层的边界外;所述第二焊料层电连接于所述第二电路引出端。

10.根据权利要求9所述的半导体封装方法,其特征在于,所述半导体封装方法还包括:

形成覆盖所述再布线层和所述第一包封层的第二包封层,所述第二包封层围绕所述导电凸柱,所述第二焊料层的至少部分区域伸出所述第二包封层。

11.根据权利要求7所述的半导体封装方法,其特征在于,所述半导体封装方法还包括:

形成覆盖所述再布线层和所述第一包封层的第二包封层。

12.根据权利要求7所述的半导体封装方法,其特征在于,所述裸片的裸片正面设有保护层,所述保护层对应于所述焊垫的区域设有通孔,在所述裸片的裸片正面形成再布线层包括:

在所述保护层背向所述裸片的一侧形成再布线层,所述再布线层填充所述通孔。

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