[发明专利]一种形成双角度形貌沟槽的蚀刻方法和氮化镓半导体器件

权利要求书

1.氮化镓半导体器件，其特征在于，包括介质层，所述介质层上开设有双角度形貌沟槽，所述双角度形貌沟槽包括第一底壁和侧壁，所述第一底壁与所述侧壁之间通过斜面连接，所述第一底壁与所述侧壁之间的夹角为第一夹角，所述第一底壁与所述斜面之间的夹角为第二夹角，所述第一夹角为直角或钝角，所述第二夹角为钝角，所述第二夹角大于所述第一夹角。

2.根据权利要求1所述的氮化镓半导体器件，其特征在于：

所述侧壁采用电感耦合等离子体刻蚀的方法形成。

3.根据权利要求1所述的氮化镓半导体器件，其特征在于：

所述第一底壁和所述斜面采用反应离子刻蚀的方法形成。

4.根据权利要求1至3任一项所述的氮化镓半导体器件，其特征在于：

所述第一夹角大于或等于100度，所述第二夹角大于或等于135度。

5.一种形成双角度形貌沟槽的蚀刻方法，其特征在于，包括：

在半导体的介质层上形成图案化的光刻胶层；

进行一次蚀刻，形成单角度形貌沟槽，所述单角度形貌沟槽设置有第二底壁和侧壁，所述第二底壁与所述侧壁之间的夹角为第一夹角；

进行二次蚀刻，形成双角度形貌沟槽，所述双角度形貌沟槽设置有第一底壁，所述第一底壁平行于所述第二底壁，所述第一底壁与所述侧壁之间通过斜面连接，所述第一底壁与所述斜面之间的夹角为第二夹角，所述第一夹角为直角或钝角，所述第二夹角为钝角，所述第二夹角大于所述第一夹角。

6.根据权利要求5所述的蚀刻方法，其特征在于：

所述一次蚀刻的深度为第一深度，所述二次蚀刻的深度为第二深度，所述第一深度和所述第二深度之和等于或大于所述介质层的厚度。

7.根据权利要求6所述的蚀刻方法，其特征在于：

所述光刻胶层的厚度为11200埃，介质层的厚度为2800埃，所述第一深度为1600埃，所述第二深度为1200埃。

8.根据权利要求5至7任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：

所述第一夹角大于或等于100度，所述第二夹角大于或等于135度。

9.根据权利要求5至7任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：

所述一次蚀刻采用电感耦合等离子体刻蚀的方法。

10.根据权利要求5至7任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：

所述二次蚀刻采用反应离子刻蚀的方法。