[发明专利]半导体布局结构及其设计方法

权利要求书

1.一种半导体布局结构，其特征在于，包含有:

基底；

第一元件图案，设置于该基底上，包含:

一对第一元件边界，相隔第一元件宽度；以及

第一主动特征组，设置在该对第一元件边界之间，该第一主动特征组包括多个第一主动特征，其中该多个第一主动特征分别包括第一通道长度且彼此相隔一多晶硅间隔；以及

第二元件图案，设置于该基底上并邻接在该第一元件图案的一侧，该第二元件图包含:

一对第二元件边界，相隔第二元件宽度，其中该对第二元件边界之其中一者与该对第一元件边界的其中一者互相重叠；

第二主动特征组，设置在该对第二元件边界之间，该第二主动特征组包括多个第二主动特征，其中该多个第二主动特征分别包括第二通道长度且彼此相隔该多晶硅间隔，其中

该第一通道长度与该第二通道长度相差一变数，该第一元件宽度及该第二元件宽度分别是该多晶硅间隔的整数倍；

设置于该基底上的一对第一虚置特征界内部，位于该第一元件图案内并且分别沿着该对第一元件边界设置，其中该对第一虚置特征界内部分别具有第一界内宽度；以及

设置于该基底上的一对第二虚置特征界内部，位于该第二元件图案内并且分别沿着该对第二元件边界设置，其中该对第二虚置特征界内部分别具有第二界内宽度，该对第一虚置特征界内部的其中一者与该对第二虚置特征界内部的其中一者邻接，

其中一对第一虚置特征其中一第一虚置特征与一对第二虚置特征其中的一第二虚置特征完全重合。

2.如权利要求1所述的半导体布局结构，其中该对第一元件边界与该第一主动特征组相隔的两间距之和与该对第二元件边界与该第二主动特征组相隔的两间距之和相差一倍的该变数。

3.如权利要求2所述的半导体布局结构，其中该对第二元件边界与该第二主动特征组相隔的该两间距不相等。

4.如权利要求2所述的半导体布局结构，其中该对第二元件边界与该第二主动特征组相隔的该两间距相等。

5.如权利要求1所述的半导体布局结构，其中该第一界内宽度与该第二界内宽度相差0.5倍的该变数。

6.如权利要求1所述的半导体布局结构，另包括设置于该基底上的第一虚置特征界外部，沿着该对第一元件边界的其中一者设置并且与相对于该第二元件图案的该对第一虚置特征界内部的其中一者邻接，其中该第一虚置特征界外部具有第一界外宽度，且该第一界外宽度与该第一界内宽度相等。

7.如权利要求1所述的半导体布局结构，另包括设置于该基底上的第二虚置特征界外部，沿着该对第二元件边界的其中一者设置并且与相对于该第一元件图案的该对第二虚置特征界内部的其中一者邻接。

8.如权利要求7所述的半导体布局结构，其中该第二虚置特征界外部具有第二界外宽度，且该第二界外宽度与该第二界内宽度相等。

9.如权利要求7所述的半导体布局结构，其中该第二虚置特征界外部具有第二界外宽度，且该第二界外宽度与该第二界内宽度相差一倍的该变数。