[发明专利]半导体结构及其制造方法

说明书

本发明提供一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构的制造方法包括：提供衬底；在衬底上形成中间层，中间层中形成有工形构件和壁状构件；其中，壁状构件的顶表面不低于工形构件的顶表面，壁状构件的底表面不高于工形构件的底表面，通过壁状构件对工形构件进行保护，提高半导体结构的可靠性。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其制造方法。

背景技术

在半导体制造工艺中，通过光刻、刻蚀、沉积等工艺可以在半导体衬底上形成半导体结构，例如芯片，所形成的芯片通常包括半导体器件以及设置在半导体器件上的互连结构。

半导体衬底上可以形成多个芯片，这些芯片从半导体衬底上切割下来并封装后形成多个独立的芯片。在对这些芯片进行切割的过程中，切割工具产生的应力会对芯片的边缘造成损害，导致芯片发生崩塌或者断裂，使芯片失效，导致半导体结构的可靠性降低。此外，水汽或者其他气液易从侧面渗透，对芯片造成侵蚀、损害，导致芯片失效，进一步降低半导体结构的可靠性。

发明内容

鉴于上述问题，本发明实施例提供一种半导体结构及其制造方法，用于提高半导体结构的可靠性。

为了实现上述目的，本发明实施例提供如下技术方案：

第一方面，本发明实施例提供一种半导体结构的制造方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成中间层，所述中间层中形成有工形构件和壁状构件；其中，所述壁状构件的顶表面不低于所述工形构件的顶表面，所述壁状构件的底表面不高于所述工形构件的底表面。

可选的，所述壁状构件一体成型。

可选的，所述工形构件的上部和中部与所述壁状构件在同一步骤中形成。

可选的，所述工形构件的上部和中部与所述壁状构件在同一步骤中形成，包括：在所述衬底上形成第一介质层；在所述第一介质层中形成所述工形构件的底部；在所述第一介质层和所述工形构件的底部上形成第二介质层；在所述第二介质层中分别形成第一开口和第二开口，其中，所述第一开口暴露所述工形构件的底部，所述第二开口贯穿所述第二介质层并延伸至所述第一介质层中；在所述第一开口中形成所述工形构件的中部和上部，同时在所述第二开口中形成所述壁状构件。

可选的，所述在所述第二介质层中分别形成第一开口和第二开口的步骤包括：在所述第二介质层上形成具有第一图案和第二图案的第一光刻胶层；利用所述第一图案和所述第二图案刻蚀所述第二介质层分别形成第一初始开口和第二初始开口；在所述第二介质层上形成具有第三图案和第四图案的第二光刻胶层，所述第三图案暴露所述第一初始开口以及部分所述第二介质层，所述第四图案暴露出所述第二初始开口；利用所述第三图案刻蚀部分所述第二介质层形成所述第一开口以及利用所述第四图案刻蚀所述第一介质层形成所述第二开口。

可选的，还包括：利用所述第三图案刻蚀部分所述第二介质层形成所述第一开口以及利用所述第二初始开口刻蚀所述第一介质层形成所述第二开口在同一步骤中完成。

可选的，还包括：填充导电材料于所述第一开口和所述第二开口中分别形成所述工形构件的上部和中部以及所述壁状构件。

可选的，所述衬底包括芯片区和外围区，所述工形构件和所述壁状构件分别位于所述芯片区和所述外围区。

第二方面，本发明实施例还提供一种半导体结构，包括衬底，位于所述衬底上的中间层；工形构件和壁状构件，位于所述中间层中；其中，所述壁状构件的顶表面不低于所述工形构件的顶表面，所述壁状构件的底表面不高于所述工形构件的底表面。

可选的，所述工形构件的上部和中部一体成型，所述壁状构件一体成型。

可选的，所述中间层包括：第一介质层和第二介质层；所述工形构件的上部和中部位于所述第二介质层中，所述工形构件的下部位于所述第一介质层中，所述壁状构件位于所述第二介质层和所述第一介质层中。