[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成中间层，所述中间层中形成有工形构件和壁状构件；

所述工形构件的上部和中部与所述壁状构件在同一步骤中形成，包括：

在所述衬底上形成第一介质层；

在所述第一介质层中形成所述工形构件的底部；

在所述第一介质层和所述工形构件的底部上形成第二介质层；

在所述第二介质层中分别形成第一开口和第二开口，其中，所述第一开口暴露所述工形构件的底部，所述第二开口贯穿所述第二介质层并延伸至所述第一介质层中；

填充导电材料于所述第一开口和所述第二开口中分别形成所述工形构件的上部和中部以及所述壁状构件；

其中，所述衬底包括芯片区和外围区，所述工形构件为芯片的导电互连结构且位于所述芯片区，所述壁状构件为芯片的保护环状壁的一部分且位于所述外围区，所述壁状构件的宽度上下一致，且所述壁状构件的宽度大于所述工形构件的中部的宽度，所述壁状构件环绕所述工形构件，所述壁状构件的顶表面不低于所述工形构件的顶表面，所述壁状构件的底表面不高于所述工形构件的底表面。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在所述第二介质层中分别形成第一开口和第二开口的步骤包括：

在所述第二介质层上形成具有第一图案和第二图案的第一光刻胶层；

利用所述第一图案和所述第二图案刻蚀所述第二介质层分别形成第一初始开口和第二初始开口；

在所述第二介质层上形成具有第三图案和第四图案的第二光刻胶层，所述第三图案暴露所述第一初始开口以及部分所述第二介质层，所述第四图案暴露出所述第二初始开口；

利用所述第三图案刻蚀部分所述第二介质层形成所述第一开口以及利用所述第四图案刻蚀所述第一介质层形成所述第二开口。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，还包括：

利用所述第三图案刻蚀部分所述第二介质层形成所述第一开口以及利用所述第二初始开口刻蚀所述第一介质层形成所述第二开口在同一步骤中完成。

4.一种半导体结构，其特征在于，采用权利要求1-3任一项所述的制造方法制备，所述半导体结构包括：

衬底；

位于所述衬底上的中间层；

工形构件和壁状构件，位于所述中间层中；

其中，所述衬底包括芯片区和外围区，所述工形构件为芯片的导电互连结构且位于所述芯片区，所述壁状构件为芯片的保护环状壁的一部分且位于所述外围区，所述壁状构件的宽度上下一致，且所述壁状构件的宽度大于所述工形构件的中部的宽度，所述壁状构件环绕所述工形构件，所述壁状构件的顶表面不低于所述工形构件的顶表面，所述壁状构件的底表面不高于所述工形构件的底表面；

所述工形构件的上部和中部一体成型，所述壁状构件一体成型；

所述中间层包括：第一介质层和第二介质层；所述工形构件的上部和中部位于所述第二介质层中，所述工形构件的下部位于所述第一介质层中，所述壁状构件位于所述第二介质层和所述第一介质层中；

所述工形构件的上部和中部与所述壁状构件在同一步骤中形成。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述壁状构件的宽度等于所述工形构件的上部的宽度；所述工形构件的上部的宽度不小于所述工形构件的底部的宽度。