[发明专利]阵列基板、阵列基板的制备方法及显示装置有效
| 申请号: | 202110068843.5 | 申请日: | 2021-01-19 |
| 公开(公告)号: | CN112909019B | 公开(公告)日: | 2023-06-06 |
| 发明(设计)人: | 王旭;李子华;郭强;金文强;蔡璐;李春波;王强;王旭东;徐东;张瑞卿 | 申请(专利权)人: | 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/64;H01L21/84 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 李迎亚;姜春咸 |
| 地址: | 017020 内蒙古自治*** | 国省代码: | 内蒙古;15 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 制备 方法 显示装置 | ||
本公开提供一种阵列基板、阵列基板的制备方法及显示装置,属于显示领域。本公开的阵列基板包括基底以及依次设置在基底上的第一绝缘结构、第一导电图案、第二绝缘结构和第二导电图案,第一绝缘结构位于基底上,第一导电图案位于第一绝缘结构背离基底的一侧,第二绝缘结构位于第一导电图案背离基底的一侧,第二导电图案位于第二绝缘结构背离基底的一侧,第二导电图案在基底上的正投影与第一导电图案在基底上的正投影存在交叠,其中,第一绝缘结构包括第一绝缘部分和第二绝缘部分,第一绝缘部分位于第二绝缘部分远离基底的一侧,第一导电图案的下表面与第一绝缘部分的上表面在基底上的正投影重叠。
技术领域
本公开涉及显示技术领域,具体涉及一种阵列基板、阵列基板的制备方法及显示装置。
背景技术
现有显示面板的阵列基板中具有多个薄膜晶体管和电容器,例如显示装置的栅极驱动电路具有存储电容,存储电容用于在晶体管关闭后维持各个像素区域的电压。
然而,现有技术中,存储电容的上下极板中间的非金属层存在易发生断裂,导致电容上下极板短接,引起显示电路异常的问题。
发明内容
本公开旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提供一种阵列基板、阵列基板的制备方法及显示装置。
第一方面,本公开实施例提供一种阵列基板,包括基底以及依次设置在所述基底上的第一绝缘结构、第一导电图案、第二绝缘结构和第二导电图案,其中,所述第一绝缘结构位于所述基底上,所述第一导电图案位于所述第一绝缘结构背离所述基底的一侧,所述第二绝缘结构位于所述第一导电图案背离所述基底的一侧,所述第二导电图案位于所述第二绝缘结构背离所述基底的一侧,所述第二导电图案在所述基底上的正投影与所述第一导电图案在所述基底上的正投影存在交叠,所述第一绝缘结构包括第一绝缘部分和第二绝缘部分,所述第一绝缘部分位于所述第二绝缘部分远离所述基板一侧,所述第一导电图案下表面与所述第一绝缘部分上表面在所述基底上的正投影重叠。
可选地,所述第一绝缘部分的侧面和所述第二绝缘部分的上表面接触形成第一二面角,所述第二绝缘结构在第一二面角位置处形成第二二面角,且所述第二绝缘结构在第二二面角位置处仅与所述第一绝缘结构相接触。
可选地,所述第一绝缘部分与所述第二绝缘部分为一体结构。
可选地,所述第二导电图案在所述基底上的正投影覆盖所述第一导电图案在所述基底上的正投影。
可选地,所述第二绝缘结构的厚度大于所述第一绝缘结构的厚度。
可选地,所述第一绝缘结构在所述第一绝缘部分与所述第二绝缘部分在所述基底上投影重叠处的厚度大于所述第一绝缘结构在所述第一绝缘部分与所述第二绝缘部分在所述基底上投影不重叠处的厚度。
可选地,所述第一绝缘部分的厚度为200-500埃。
可选地,所述阵列基板包括显示区和非显示区,在所述非显示区内设置有栅极驱动电路,所述栅极驱动电路包括至少一个电容,所述电容具有第一极板和第二极板,其特征在于,所述第一导电图案和所述第二导电图案分别为所述电容的第一极板和第二极板。
可选地,所述栅极驱动电路还包括至少一个薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极,所述第一导电图案与所述薄膜晶体管的栅极同层设置,所述第二导电图案与所述薄膜晶体管的源极和漏极同层设置。
可选地,所述阵列基板包括显示区和非显示区,在所述显示区内设置有像素驱动电路,所述像素驱动电路包括至少一个薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括第一栅极和第二栅极,其特征在于,所述第一导电图案和所述第二导电图案分别为所述薄膜晶体管的第一栅极和第二栅极。
可选地,在所述第一绝缘结构与所述基底之间设置有缓冲层。
第二方面,本公开实施例提供一种阵列基板的制备方法,包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





